产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 50A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N04NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N04NS GCT
BSC030N04NS GCT-ND
BSC030N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.1A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS030N06B
仓库库存编号:
FDMS030N06BCT-ND
别名:FDMS030N06BCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 3.9W(Ta), 180W(Tc) TO-252-4L
型号:
DMTH4004LK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH4004LK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH4004LK3Q-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 25.4A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030P03NS3 G
仓库库存编号:
BSC030P03NS3 GCT-ND
别名:BSC030P03NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC030N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC030N08NS5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 50A,10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 100A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3.9W(Ta), 180W(Tc) TO-252-4L
型号:
DMTH4004LK3-13
仓库库存编号:
DMTH4004LK3-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 50A,10V,
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