以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9210TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9210PBFCT-ND
  别名：*IRFR9210TRPBF
  IRFR9210PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU02N60C3BKMA1
  仓库库存编号：SPU02N60C3BKMA1-ND
  别名：Q67040S4659
  SP000015064
  SPU02N60C3
  SPU02N60C3-ND
  SPU02N60C3X
  SPU02N60C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB02N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB02N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB02N60S5INCT
  SPB02N60S5INCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9210PBF
  仓库库存编号：IRFU9210PBF-ND
  别名：*IRFU9210PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9210
  仓库库存编号：IRFR9210-ND
  别名：*IRFR9210
  Q943762
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9210TR
  仓库库存编号：IRFR9210TR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9210
  仓库库存编号：IRFU9210-ND
  别名：*IRFU9210
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9210TRL
  仓库库存编号：IRFR9210TRL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9210TRR
  仓库库存编号：IRFR9210TRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP02N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP02N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013523
  SPP02N60C3
  SPP02N60C3IN
  SPP02N60C3IN-ND
  SPP02N60C3X
  SPP02N60C3XK
  SPP02N60C3XTIN
  SPP02N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB02N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB02N60C3ATMA1TR-ND
  别名：SP000013516
  SPB02N60C3
  SPB02N60C3INTR
  SPB02N60C3INTR-ND
  SPB02N60C3XT
  SPB02N60C3XT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N50C3
  仓库库存编号：SPD02N50C3INTR-ND
  别名：SP000014476
  SPD02N50C3INTR
  SPD02N50C3XT
  SPD02N50C3XT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60C3INCT
  SPD02N60C3INCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：SPN02N60S5
  仓库库存编号：SPN02N60S5-ND
  别名：SP000012412
  SP000101880
  SPN02N60S5T
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP02N60S5HKSA1
  仓库库存编号：SPP02N60S5HKSA1-ND
  别名：SP000012390
  SP000681016
  SPP02N60S5
  SPP02N60S5-ND
  SPP02N60S5IN
  SPP02N60S5IN-ND
  SPP02N60S5X
  SPP02N60S5XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU02N60S5BKMA1
  仓库库存编号：SPU02N60S5BKMA1-ND
  别名：SPU02N60S5
  SPU02N60S5-ND
  SPU02N60S5IN
  SPU02N60S5IN-ND
  SPU02N60S5X
  SPU02N60S5XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60S5BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60S5BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60S5INCT
  SPD02N60S5INCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPS02N60C3
  仓库库存编号：SPS02N60C3-ND
  别名：SP000235878
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 1.1A，10V,
• 无铅
• 搜索