产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Diodes Incorporated (3)
Infineon Technologies (3)
ON Semiconductor (1)
Vishay Siliconix (10)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 20A WDFN8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),85A(Tc) 3.2W(Ta), 55W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS5C454NLTAG
仓库库存编号:
NTTFS5C454NLTAGOSCT-ND
别名:NTTFS5C454NLTAGOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
别名:SQM120N10-3M8_GE3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
别名:SQM120N10-3M8_GE3-ND
SQM120N10-3M8_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4456DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4456DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4456DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),140A(Tc) 2.7W(Ta),113W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMT3004LPS-13
仓库库存编号:
DMT3004LPS-13DICT-ND
别名:DMT3004LPS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263-7
型号:
SUM70040M-GE3
仓库库存编号:
SUM70040M-GE3CT-ND
别名:SUM70040M-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7623DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7623DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7623DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),145A(Tc) 3.2W(Ta), 136W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH3004LPS-13
仓库库存编号:
DMTH3004LPS-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),145A(Tc) 136W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH3004LPSQ-13
仓库库存编号:
DMTH3004LPSQ-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 40V 50A(Tc) 136W(Tc) D-PAK(TO-252)
型号:
SQR50N04-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQR50N04-3M8_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4456DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4456DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-262-3
型号:
SQV120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQV120N10-3M8_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SQP120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQP120N10-3M8_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR646DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR646DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR646DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832Z
仓库库存编号:
IRF7832Z-ND
别名:SP001554428
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832ZTR
仓库库存编号:
IRF7832ZTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),40A(Tc) 2.7W(Ta),37W(Tc) PQFN(3x3)
型号:
IRFHM830TR2PBF
仓库库存编号:
IRFHM830TR2PBFCT-ND
别名:IRFHM830TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.8 毫欧 @ 20A,10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号