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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9Z34NSTRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 19A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z34NPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NPBF-ND
  别名：*IRF9Z34NPBF
  SP001560182
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ24PBF
  仓库库存编号：IRFZ24PBF-ND
  别名：*IRFZ24PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ20PBF
  仓库库存编号：IRFZ20PBF-ND
  别名：*IRFZ20PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRFZ24SPBF
  仓库库存编号：IRFZ24SPBF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRFZ24STRRPBF
  仓库库存编号：IRFZ24STRRPBF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ24STRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ24STRLPBF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 15A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ20
  仓库库存编号：IRFZ20-ND
  别名：*IRFZ20
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ24
  仓库库存编号：IRFZ24-ND
  别名：*IRFZ24
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ24S
  仓库库存编号：IRFZ24S-ND
  别名：*IRFZ24S
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFZ24L
  仓库库存编号：IRFZ24L-ND
  别名：*IRFZ24L
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ24STRL
  仓库库存编号：IRFZ24STRL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ24STRR
  仓库库存编号：IRFZ24STRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 17A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRCZ24PBF
  仓库库存编号：IRCZ24PBF-ND
  别名：*IRCZ24PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A25D,S5Q(M
  仓库库存编号：TK20A25DS5Q(M-ND
  别名：TK20A25D(Q)
  TK20A25D(Q)-ND
  TK20A25DQ
  TK20A25DS5Q(M
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF9Z34NL
  仓库库存编号：IRF9Z34NL-ND
  别名：*IRF9Z34NL
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34NSTRR
  仓库库存编号：IRF9Z34NSTRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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  MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF9Z34NLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NLPBF-ND
  别名：*IRF9Z34NLPBF
  SP001570616
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V,
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