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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC016N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC016N03MSGINCT
  BSC016N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SUM40010EL-GE3
  仓库库存编号：SUM40010EL-GE3CT-ND
  别名：SUM40010EL-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC016N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC016N03LS GCT
  BSC016N03LS GCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM40010EL_GE3
  仓库库存编号：SQM40010EL_GE3CT-ND
  别名：SQM40010EL_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 211A 8-VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 211A (Tc) 139W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD18512Q5BT
  仓库库存编号：CSD18512Q5BT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 30A，10V,
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