产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 5.4A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630PBF
仓库库存编号:
IRF630PBF-ND
别名:*IRF630PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 5.4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRLPBF
仓库库存编号:
IRF630STRLPBFCT-ND
别名:IRF630STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 5.4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630S
仓库库存编号:
IRF630S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 5.4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF630L
仓库库存编号:
IRF630L-ND
别名:*IRF630L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 5.4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRL
仓库库存编号:
IRF630STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 5.4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRR
仓库库存编号:
IRF630STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 5.4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 74W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC630PBF
仓库库存编号:
IRC630PBF-ND
别名:*IRC630PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 5.4A,10V,
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