以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R5-40PS,127
  仓库库存编号：1727-5288-ND
  别名：1727-5288
  568-6716
  568-6716-5
  568-6716-5-ND
  568-6716-ND
  934065167127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE808DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE808DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE808DF-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN1R5-40ES,127
  仓库库存编号：1727-5289-ND
  别名：1727-5289
  568-6717
  568-6717-5
  568-6717-5-ND
  568-6717-ND
  934065161127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK661R6-30C,118
  仓库库存编号：1727-5516-1-ND
  别名：1727-5516-1
  568-6995-1
  568-6995-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 349W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R6-40E,118
  仓库库存编号：1727-7133-1-ND
  别名：1727-7133-1
  568-9565-1
  568-9565-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7157DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7157DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7157DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R7-40E,118
  仓库库存编号：1727-1088-1-ND
  别名：1727-1088-1
  568-10241-1
  568-10241-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 1.2W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH3002LPS-13
  仓库库存编号：DMTH3002LPS-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 1.2W（Ta）, 136W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT3002LPS-13
  仓库库存编号：DMT3002LPS-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE808DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE808DF-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE848DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE848DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE848DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE848DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE848DF-T1-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK751R6-30E,127
  仓库库存编号：568-9837-5-ND
  别名：568-9837-5
  934066478127
  BUK751R630E127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E1R6-30E,127
  仓库库存编号：568-9848-5-ND
  别名：568-9848-5
  934066509127
  BUK7E1R630E127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.6 毫欧 @ 25A，10V,
• 无铅
• 搜索