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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190C6
  仓库库存编号：IPA60R190C6-ND
  别名：IPA60R190C6XKSA1
  SP000621152
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190C6
  仓库库存编号：IPW60R190C6-ND
  别名：IPW60R190C6FKSA1
  SP000621160
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190E6
  仓库库存编号：IPW60R190E6-ND
  别名：IPW60R190E6FKSA1
  SP000797384
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R190C6
  仓库库存编号：IPB60R190C6INCT-ND
  别名：IPB60R190C6INCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190C6
  仓库库存编号：IPP60R190C6-ND
  别名：IPP60R190C6XKSA1
  SP000621158
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R190E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R190E6
  IPA60R190E6-ND
  SP000797380
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190E6
  仓库库存编号：IPP60R190E6-ND
  别名：IPP60R190E6XKSA1
  SP000797378
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF24NM65N
  仓库库存编号：497-11394-5-ND
  别名：497-11394-5
  STF24NM65N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24NM65N
  仓库库存编号：497-7002-1-ND
  别名：497-7002-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 26.7A (Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R190CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R190CEXKSA1-ND
  别名：SP001391612
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R190C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R190C6
  IPI60R190C6-ND
  SP000660618
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP24NM65N
  仓库库存编号：497-7026-5-ND
  别名：497-7026-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW24NM65N
  仓库库存编号：497-7035-5-ND
  别名：497-7035-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 160W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI24NM65N
  仓库库存编号：STI24NM65N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 19A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW20NM65N
  仓库库存编号：STW20NM65N-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 9.5A，10V,
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