产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190CFD
仓库库存编号:
IPW65R190CFD-ND
别名:IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190CFD
仓库库存编号:
IPA65R190CFD-ND
别名:IPA65R190CFDXKSA1
SP000905382
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190E6XKSA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190CFD
仓库库存编号:
IPB65R190CFDCT-ND
别名:IPB65R190CFDCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190C6XKSA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190CFDXKSA1-ND
别名:IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R190E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R190E6AUMA1-ND
别名:SP001074938
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R190C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R190C6CT
IPB65R190C6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R190CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R190CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R190CFD
IPI65R190CFD-ND
SP000905386
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190C6XKSA1-ND
别名:IPA65R190C6
IPA65R190C6-ND
SP000863892
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190E6XKSA1-ND
别名:IPA65R190E6
IPA65R190E6-ND
SP000863904
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R190C6XKSA1-ND
别名:IPI65R190C6
IPI65R190C6-ND
SP000863900
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R190CFDAATMA1-ND
别名:SP000928264
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190CFDAAKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190CFDAAKSA1-ND
别名:SP000928266
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190C6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190C6FKSA1-ND
别名:IPW65R190C6
IPW65R190C6-ND
SP000863902
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190E6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190E6FKSA1-ND
别名:IPW65R190E6
IPW65R190E6-ND
SP000863906
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MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190CFDAFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190CFDAFKSA1-ND
别名:SP000928268
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V,
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