产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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系列
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零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(2)
TO-247-3(4)
9-SMD 模块(2)
ISOPLUS247?(1)
i4-Pac?-5(2)
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Microsemi Corporation(3)
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Infineon Technologies(2)
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表面贴装(4)
通孔(7)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(10)
-40°C ~ 150°C(TJ)(1)
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CoolMOS??(7)
汽车级,AEC-Q101,CoolMOS?(1)
CoolMOS?,HiPerDyn?(1)
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散装 (1)
带卷(TR) (2)
管件 (7)
托盘 (1)
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TO-247 [B](1)
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MOSFET(金属氧化物)(11)
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190nC @ 10V(11)
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45 毫欧 @ 44A,10V(11)
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10V(11)
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N 沟道(11)
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60A(Tc)(5)
50A(Tc)(2)
47A(Tc)(3)
70A(Tc)(1)
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6800pF @ 100V(8)
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-(7)
超级结(4)
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3.5V @ 3mA(8)
3.9V @ 3mA(3)
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-(6)
431W(Tc)(5)
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600V(10)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R045CP
仓库库存编号:
IPW60R045CPIN-ND
别名:IPW60R045CP-ND
IPW60R045CPFKSA1
IPW60R045CPIN
IPW60R045CPXK
IPW60R045CSX
SP000067149
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH70N60C5
仓库库存编号:
IXKH70N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT60N60BCSG
仓库库存编号:
APT60N60BCSG-ND
别名:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR47N60C5
仓库库存编号:
IXKR47N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) D3Pak
型号:
APT60N60SCSG/TR
仓库库存编号:
APT60N60SCSG/TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) D3Pak
型号:
APT60N60SCSG
仓库库存编号:
APT60N60SCSG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FDM47-06KC5
仓库库存编号:
FDM47-06KC5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD47-06KC5
仓库库存编号:
FMD47-06KC5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38RK600DFELB-TRR
仓库库存编号:
MKE38RK600DFELB-TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38RK600DFELB
仓库库存编号:
MKE38RK600DFELB-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R045CPAFKSA1
仓库库存编号:
IPW60R045CPAFKSA1-ND
别名:SP000539772
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V,
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