产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1471DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1471DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1471DH-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1471DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1471DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1471DH-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 4A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6354-TL-W
仓库库存编号:
CPH6354-TL-WOSCT-ND
别名:CPH6354-TL-WOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1473DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1473DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1473DH-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 630mW(Ta) SC-70-6
型号:
AO7415
仓库库存编号:
785-1092-1-ND
别名:785-1092-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.9W(Ta) 6-CPH
型号:
NVC6S5A354PLZT1G
仓库库存编号:
NVC6S5A354PLZT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1473DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1473DH-T1-E3TR-ND
别名:SI1473DH-T1-E3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DI9405T
仓库库存编号:
DI9405CT-ND
别名:DI9405
DI9405CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名:SP000900304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名:SP000899314
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC171N04NX1SA1
仓库库存编号:
IPC171N04NX1SA1-ND
别名:SP000300150
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N06L3X1SA1-ND
别名:SP000476924
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06N3X1SA2
仓库库存编号:
IPC218N06N3X1SA2-ND
别名:SP000544188
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N08N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N08N3X1SA1-ND
别名:SP000476912
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302NE7N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302NE7N3X1SA1-ND
别名:SP000840426
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N10N3X1SA1-ND
别名:SP000476916
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC26N12NX1SA1
仓库库存编号:
IPC26N12NX1SA1-ND
别名:SP000296743
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名:SP000875892
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC300N15N3RX1SA2
仓库库存编号:
IPC300N15N3RX1SA2-ND
别名:SP001049344
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名:SP000717450
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名:SP000619656
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名:SP000870638
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名:SP001363494
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名:SP000691616
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS9405
仓库库存编号:
NDS9405CT-ND
别名:NDS9405CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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