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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR9N20DTRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 5.6A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.2A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF19N60
  仓库库存编号：FQAF19N60-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 5.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9N20D
  仓库库存编号：IRFU9N20D-ND
  别名：*IRFU9N20D
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 5.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTR
  仓库库存编号：IRFR9N20DTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 5.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRL
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 5.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9N20DTRR
  仓库库存编号：IRFR9N20DTRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 380 毫欧 @ 5.6A，10V,
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