产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V, | 创唯电子 (美国1号仓库)

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,

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制造商

安装类型

工作温度

系列

包装

零件状态

供应商器件封装

技术

Vgs（最大值）

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

FET 类型

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

FET 功能

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

功率耗散（最大值）

漏源电压（Vdss）

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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 87A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB

型号：IRF3709ZPBF
仓库库存编号：IRF3709ZPBF-ND
别名：*IRF3709ZPBF
SP001564614

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK

型号：IRF3709ZSTRRPBF
仓库库存编号：IRF3709ZSTRRPBF-ND
别名：SP001563134

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK

型号：IRF3709ZCS
仓库库存编号：IRF3709ZCS-ND
别名：*IRF3709ZCS

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK

型号：IRF3709ZSTRL
仓库库存编号：IRF3709ZSTRL-ND

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK

型号：IRF3709ZSTRR
仓库库存编号：IRF3709ZSTRR-ND

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262

型号：IRF3709ZCL
仓库库存编号：IRF3709ZCL-ND
别名：*IRF3709ZCL

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262

型号：IRF3709ZL
仓库库存编号：IRF3709ZL-ND
别名：*IRF3709ZL

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK

型号：IRF3709ZS
仓库库存编号：IRF3709ZS-ND
别名：*IRF3709ZS

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK

型号：IRF3709ZCSTRL
仓库库存编号：IRF3709ZCSTRL-ND

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK

型号：IRF3709ZCSTRR
仓库库存编号：IRF3709ZCSTRR-ND

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262

型号：IRF3709ZCLPBF
仓库库存编号：IRF3709ZCLPBF-ND
别名：*IRF3709ZCLPBF

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） TO-262

型号：IRF3709ZLPBF
仓库库存编号：IRF3709ZLPBF-ND
别名：*IRF3709ZLPBF
SP001574636

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK

型号：IRF3709ZSPBF
仓库库存编号：IRF3709ZSPBF-ND
别名：*IRF3709ZSPBF
SP001551038

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK

型号：IRF3709ZSTRLPBF
仓库库存编号：IRF3709ZSTRLPBF-ND

产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 21A，10V,
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