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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190P6
  仓库库存编号：IPP60R190P6-ND
  别名：IPP60R190P6XKSA1
  SP001017066
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 7.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190P6
  仓库库存编号：IPA60R190P6-ND
  别名：IPA60R190P6XKSA1
  SP001017080
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 7.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190P6
  仓库库存编号：IPW60R190P6-ND
  别名：IPW60R190P6FKSA1
  SP001017090
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 7.6A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R190P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R190P6ATMA1CT-ND
  别名：IPB60R190P6ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 190 毫欧 @ 7.6A，10V,
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