产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) I2PAK
型号:
IRFSL9N60APBF
仓库库存编号:
IRFSL9N60APBF-ND
别名:*IRFSL9N60APBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N60APBF
仓库库存编号:
IRFB9N60APBF-ND
别名:*IRFB9N60APBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60ATRLPBF
仓库库存编号:
IRFS9N60ATRLPBFCT-ND
别名:IRFS9N60ATRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHFS9N60A-GE3
仓库库存编号:
SIHFS9N60A-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 500V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH11P50
仓库库存编号:
IXTH11P50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 500V 11A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT11P50
仓库库存编号:
IXTT11P50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N60A
仓库库存编号:
IRFB9N60A-ND
别名:*IRFB9N60A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFSL9N60A
仓库库存编号:
IRFSL9N60A-ND
别名:*IRFSL9N60A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60A
仓库库存编号:
IRFS9N60A-ND
别名:*IRFS9N60A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60ATRL
仓库库存编号:
IRFS9N60ATRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 750 毫欧 @ 5.5A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60ATRR
仓库库存编号:
IRFS9N60ATRR-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) I2PAK
型号:
IRFSL9N60ATRL
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IRFSL9N60ATRL-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) I2PAK
型号:
IRFSL9N60ATRR
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IRFSL9N60ATRR-ND
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