产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R800C3
仓库库存编号:
IPP90R800C3-ND
别名:IPP90R800C3XKSA1
SP000413748
SP000683102
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R800C3
仓库库存编号:
IPW90R800C3-ND
别名:IPW90R800C3FKSA1
SP000413758
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R800C3
仓库库存编号:
IPA90R800C3-ND
别名:IPA90R800C3XKSA1
SP000413718
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.9A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3419AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3419AEEV-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Tc),
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS698DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS698DN-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R800C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R800C3XKSA1-ND
别名:IPI90R800C3
IPI90R800C3-ND
SP000413730
SP000683086
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 150V 6.9A(Tc) 44W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N15
仓库库存编号:
FQPF9N15-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.9A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
2SK4099LS
仓库库存编号:
2SK4099LS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Tc),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8.5A
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.9A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
2SK4099LS-1E
仓库库存编号:
2SK4099LS-1E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.9A(Tc),
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