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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR120ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFR120ZTRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 8.7A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP9NQ20T,127
  仓库库存编号：1727-4652-ND
  别名：1727-4652
  568-5769
  568-5769-5
  568-5769-5-ND
  568-5769-ND
  934055685127
  PHP9NQ20T
  PHP9NQ20T,127-ND
  PHP9NQ20T-ND
  PHP9NQ20T127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R420CFD
  仓库库存编号：IPB65R420CFDCT-ND
  别名：IPB65R420CFDCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840BPBF
  仓库库存编号：IRF840BPBF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF8N50D-E3
  仓库库存编号：SIHF8N50D-E3-ND
  别名：SIHF8N50D-E3CT
  SIHF8N50D-E3CT-ND
  SIHF8N50DE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP8N50D-E3
  仓库库存编号：SIHP8N50D-E3-ND
  别名：SIHP8N50D-E3CT
  SIHP8N50D-E3CT-ND
  SIHP8N50DE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP8N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHP8N50D-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Tc） 88W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD9NQ20T,118
  仓库库存编号：PHD9NQ20T,118-ND
  别名：934055766118
  PHD9NQ20T /T3
  PHD9NQ20T /T3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB8N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHB8N50D-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 8.7A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSA70R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPSA70R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001605396
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR120ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFR120ZTRL-ND
  别名：SP001520338
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R420CFDBTMA1
  仓库库存编号：IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
  别名：IPD65R420CFDCT
  IPD65R420CFDCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R420CFDATMA1
  仓库库存编号：IPD65R420CFDATMA1-ND
  别名：SP001117738
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 31.2W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R420CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R420CFDXKSA1-ND
  别名：IPA65R420CFD
  IPA65R420CFD-ND
  SP000890322
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R420CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R420CFDXKSA1-ND
  别名：IPI65R420CFD
  IPI65R420CFD-ND
  SP000891702
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R420CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R420CFDXKSA1-ND
  别名：IPP65R420CFD
  IPP65R420CFD-ND
  SP000876824
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R420CFDAATMA1
  仓库库存编号：IPD65R420CFDAATMA1-ND
  别名：SP000928262
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.7A（Tc） 83.3W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R420CFDFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R420CFDFKSA1-ND
  别名：IPW65R420CFD
  IPW65R420CFD-ND
  SP000890686
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N10L
  仓库库存编号：FQPF13N10L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N10
  仓库库存编号：FQPF13N10-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 8.7A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.7A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220F-3FS
  
  型号：BFL4007-1E
  仓库库存编号：BFL4007-1E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120Z
  仓库库存编号：IRFR120Z-ND
  别名：*IRFR120Z
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU120Z
  仓库库存编号：IRFU120Z-ND
  别名：*IRFU120Z
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120ZTR
  仓库库存编号：IRFR120ZTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120ZTRL
  仓库库存编号：IRFR120ZTRL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.7A（Tc）,
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