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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU5N62K3
  仓库库存编号：497-12366-ND
  别名：497-12366
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 4.2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Tc） 78W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD5N40
  仓库库存编号：785-1360-1-ND
  别名：785-1360-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF5N62K3
  仓库库存编号：497-12583-5-ND
  别名：497-12583-5
  STF5N62K3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50NZF
  仓库库存编号：FDPF5N50NZF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4N90TU
  仓库库存编号：FQI4N90TU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04P10PLGBTMA1
  仓库库存编号：SPD04P10PLGBTMA1CT-ND
  别名：SPD04P10PL GCT
  SPD04P10PL GCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP5N62K3
  仓库库存编号：497-10771-5-ND
  别名：497-10771-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N62K3
  仓库库存编号：497-10778-1-ND
  别名：497-10778-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 78W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI5N40
  仓库库存编号：785-1451-5-ND
  别名：785-1451-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.2A（Tc） 34.7W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL65R1K0C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL65R1K0C6SATMA1-ND
  别名：SP001163084
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.2A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN5PF02V
  仓库库存编号：497-4364-1-ND
  别名：497-4364-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 620V 4.2A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB5N62K3
  仓库库存编号：497-10953-1-ND
  别名：497-10953-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 4.2A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N15
  仓库库存编号：FQPF5N15-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 4.2A（Tc） 45W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6P25
  仓库库存编号：FQPF6P25-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 4.2A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N40TM
  仓库库存编号：FQD6N40TM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 4.2A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N40TF
  仓库库存编号：FQD6N40TF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4.2A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP4N90
  仓库库存编号：FQP4N90-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 4.2A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4N90TM
  仓库库存编号：FQB4N90TM-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.2A（Tc） 1.25W（Ta），1.5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3454CDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3454CDV-T1-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.2A（Tc） 1.25W（Ta），1.5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3454CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3454CDV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M005A060PG
  仓库库存编号：GP2M005A060PG-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M005A060CG
  仓库库存编号：1560-1199-1-ND
  别名：1560-1199-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 32.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M005A060FG
  仓库库存编号：1560-1200-5-ND
  别名：1560-1200-1
  1560-1200-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M005A060HG
  仓库库存编号：1560-1201-5-ND
  别名：1560-1201-1
  1560-1201-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.2A（Tc） 98.4W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M005A060PGH
  仓库库存编号：1560-1202-5-ND
  别名：1560-1202-1
  1560-1202-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.2A（Tc）,
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