产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(1)
8-PowerVDFN(3)
TO-220-3 整包(1)
TO-247-3(2)
8-PowerWDFN(1)
SC-100，SOT-669(5)
8-WFDFN 裸露焊盘(1)
8-PowerTDFN(1)
ATPAK（2 引线 + 接片）(4)
TO-3P-3，SC-65-3(1)
TO-220-3 全封装，隔离接片(2)
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On Semiconductor(4)
Rohm Semiconductor(1)
Toshiba Semiconductor and Storage(8)
Texas Instruments(1)
Renesas Electronics America(8)
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表面贴装(16)
通孔(6)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(1)
175°C（TJ）(1)
150°C（TJ）(20)
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-(14)
NexFET??(1)
U-MOSIII(1)
DTMOSIV(4)
U-MOSIV(1)
U-MOSVI-H(1)
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剪切带（CT） (5)
散装 (1)
带卷（TR） (11)
管件 (5)
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在售(15)
已不再提供(3)
过期(4)
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TO-247(2)
LFPAK(5)
TO-220NIS(1)
8-HSOP(1)
8-SOP Advance（5x5）(2)
DPAK+(1)
ATPAK(4)
TO-3P(1)
8-VSONP（3x3.15）(1)
TO-220SIS(2)
8-WPAK(2)
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MOSFET（金属氧化物）(22)
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±30V(5)
±20V(16)
±10V(1)
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25nC @ 10V(1)
17nC @ 10V(1)
35nC @ 10V(2)
100nC @ 10V(2)
91nC @ 10V(1)
55nC @ 10V(1)
12nC @ 4.5V(1)
14nC @ 4.5V(3)
40nC @ 10V(1)
28nC @ 10V(1)
90nC @ 10V(1)
115nC @ 10V(2)
185nC @ 10V(1)
30nC @ 4.5V(1)
29nC @ 4.5V(1)
104nC @ 10V(1)
34.5nC @ 10V(1)
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95 毫欧 @ 17.5A，10V(2)
4.8 毫欧 @ 16A，10V(1)
1.7 毫欧 @ 35A，10V(1)
80 毫欧 @ 17.5A，10V(2)
23 毫欧 @ 18A，10V(1)
4.7 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
5.2 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
10.3 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
29.5 毫欧 @ 18A，10V(1)
7 毫欧 @ 17.5A，10V(2)
4.6 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
17 毫欧 @ 18A，10V(1)
6.7 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
8.9 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
6.6 毫欧 @ 18A，10V(2)
12.5 毫欧 @ 18A，10V(1)
23 毫欧 @ 18A，4.5V(1)
155 毫欧 @ 17.5A，10V(1)
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10V(7)
4.5V，10V(10)
1.8V，4.5V(1)
4V，10V(3)
6V，10V(1)
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N 沟道(21)
P 沟道(1)
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35A（Ta）(22)
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2400pF @ 20V(1)
4100pF @ 300V(4)
4100pF @ 10V(1)
2310pF @ 15V(1)
3000pF @ 10V(1)
7540pF @ 10V(1)
7900pF @ 15V(1)
1820pF @ 20V(1)
2550pF @ 10V(1)
1465pF @ 10V(1)
2180pF @ 10V(2)
985pF @ 10V(1)
1370pF @ 10V(1)
2010pF @ 10V(1)
2170pF @ 10V(1)
4100pF @ 25V(1)
5120pF @ 10V(1)
2700pF @ 20V(1)
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-(22)
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-(10)
2.3V @ 1mA(2)
3V @ 1mA(1)
2.5V @ 1mA(4)
1.8V @ 250μA(1)
4.5V @ 2.1mA(2)
3.5V @ 2.1mA(2)
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45W（Tc）(2)
60W（Tc）(1)
35W（Tc）(2)
40W（Tc）(3)
50W（Tc）(3)
30W（Tc）(2)
65W（Tc）(1)
58W（Tc）(1)
200W（Tc）(1)
1.6W（Ta），45W（Tc）(2)
270W（Tc）(2)
55W（Tc）(1)
2.8W（Ta），53W（Tc）(1)
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50V(1)
80V(1)
40V(2)
30V(7)
60V(6)
650V(4)
500V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK35A65W5,S5X
仓库库存编号：
TK35A65W5S5X-ND
别名：TK35A65W5,S5X(M
TK35A65W5S5X
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 2.8W（Ta），53W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
型号：
CSD17577Q3AT
仓库库存编号：
296-38336-1-ND
别名：296-38336-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 35W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1E350BNTB
仓库库存编号：
RS1E350BNTBCT-ND
别名：RS1E350BNTBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
型号：
TK35N65W,S1F
仓库库存编号：
TK35N65WS1F-ND
别名：TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-ND
TK35N65WS1F
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK35A65W,S5X
仓库库存编号：
TK35A65WS5X-ND
别名：TK35A65W,S5X(M
TK35A65W,S5X-ND
TK35A65WS5X
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
型号：
ATP212-TL-H
仓库库存编号：
869-1084-1-ND
别名：869-1084-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 40W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK0353DPA-01#J0B
仓库库存编号：
RJK0353DPA-01#J0BTR-ND
别名：RJK0353DPA-01#J0B-ND
RJK0353DPA-01#J0BTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0332DPB-01#J0
仓库库存编号：
RJK0332DPB-01#J0CT-ND
别名：RJK0332DPB-01#J0CT
RJK0332DPB01J0
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 58W（Tc） DPAK+
型号：
TK35S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号：
TK35S04K3L(T6L1NQ-ND
别名：TK35S04K3L(T6L1NQ
TK35S04K3LT6L1NQ
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
型号：
ATP113-TL-H
仓库库存编号：
869-1077-2-ND
别名：869-1077-2
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0451DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0451DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0451DPB-00#J5-ND
RJK0451DPB-00#J5TR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK03M4DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK03M4DPA-00#J5A-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0652DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0652DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0652DPB-00#J5-ND
RJK0652DPB-00#J5TR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0655DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0655DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0655DPB-00#J5-ND
RJK0655DPB-00#J5TR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0856DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0856DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0856DPB-00#J5-ND
RJK0856DPB-00#J5TR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
型号：
TK35N65W5,S1F
仓库库存编号：
TK35N65W5S1F-ND
别名：TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-ND
TK35N65W5S1F
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8003-H(TE12LQM
仓库库存编号：
TPCA8003-H(TE12LQM-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
详细描述：通孔 N 沟道 60V 35A（Ta） 35W（Tc） TO-220NIS
型号：
2SK3662(F)
仓库库存编号：
2SK3662(F)-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 35A 8-SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 35A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPCA8048-H(TE12L,Q
仓库库存编号：
TPCA8048-HTE12LQCT-ND
别名：TPCA8048-HTE12LQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta） 30W（Tc） ATPAK
型号：
ATP201-TL-H
仓库库存编号：
ATP201-TL-H-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 35A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
型号：
ATP216-TL-H
仓库库存编号：
ATP216-TL-H-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJK5018DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJK5018DPK-00#T0-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Ta）,
无铅
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