以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC855N
  仓库库存编号：FDC855NCT-ND
  别名：FDC855NCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Ta） 5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5351
  仓库库存编号：FDS5351CT-ND
  别名：FDS5351CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 N 30V/20V, MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Ta） 700mW（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC021N30
  仓库库存编号：FDC021N30CT-ND
  别名：FDC021N30CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Ta）,
• 
  
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.1A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB27EP,115
  仓库库存编号：1727-1370-1-ND
  别名：1727-1370-1
  568-10819-1
  568-10819-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.1A（Ta） 1.9W（Ta） 8-MLP，MicroFET（3x1.9）
  
  型号：FDMB668P
  仓库库存编号：FDMB668PCT-ND
  别名：FDMB668PCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.1A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6010-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6010-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6010-H(TE85LFM
  TPC6010HTE85LFM
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索