产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (9)
Central Semiconductor Corp (1)
Diodes Incorporated (8)
EPC (3)
Infineon Technologies (16)
Micro Commercial Co (2)
Microsemi Corporation (1)
Fairchild/ON Semiconductor (6)
ON Semiconductor (26)
Panasonic Electronic Components (1)
Renesas Electronics America (6)
Rohm Semiconductor (12)
Sanken (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (15)
Vishay Siliconix (13)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK
型号：
NTD2955T4G
仓库库存编号：
NTD2955T4GOSCT-ND
别名：NTD2955T4GOS
NTD2955T4GOS-ND
NTD2955T4GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3.9W（Ta），48W（Tc） TO-252-3
型号：
MTD3055V
仓库库存编号：
MTD3055VCT-ND
别名：MTD3055VCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4407A
仓库库存编号：
785-1022-1-ND
别名：785-1022-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
型号：
NTD3055-094T4G
仓库库存编号：
NTD3055-094T4GOSCT-ND
别名：NTD3055-094T4GOS
NTD3055-094T4GOS-ND
NTD3055-094T4GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
型号：
NTD3055L104T4G
仓库库存编号：
NTD3055L104T4GOSCT-ND
别名：NTD3055L104T4GOS
NTD3055L104T4GOS-ND
NTD3055L104T4GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） I-Pak
型号：
NTD2955-1G
仓库库存编号：
NTD2955-1GOS-ND
别名：NTD2955-1G-ND
NTD2955-1GOS
NTD29551G
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
型号：
NTD3055L104-1G
仓库库存编号：
NTD3055L104-1GOS-ND
别名：NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta），16W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E120GNTB
仓库库存编号：
RQ3E120GNTBCT-ND
别名：RQ3E120GNTBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO201SP H
仓库库存编号：
BSO201SP HCT-ND
别名：BSO201SP HCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 模具
型号：
EPC2018
仓库库存编号：
917-1034-1-ND
别名：917-1034-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.02W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
型号：
DMN3016LFDF-7
仓库库存编号：
DMN3016LFDF-7DICT-ND
别名：DMN3016LFDF-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 800V 12A
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
CDM22012-800LRFP SL
仓库库存编号：
CDM22012-800LRFP SL-ND
别名：CDM22012-800LRFP PBFREE
CDM22012-800LRFP PBFREECT
CDM22012-800LRFP PBFREECT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E120BNTB
仓库库存编号：
RQ3E120BNTBCT-ND
别名：RQ3E120BNTBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1G120MNTB
仓库库存编号：
RS1G120MNTBCT-ND
别名：RS1G120MNTBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6K514NU,LF
仓库库存编号：
SSM6K514NULFCT-ND
别名：SSM6K514NULFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） DFN2020-6J
型号：
MCMN2012-TP
仓库库存编号：
MCMN2012-TPMSCT-ND
别名：MCMN2012-TPMSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 890mW（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMG7702SFG-7
仓库库存编号：
DMG7702SFG-7DICT-ND
别名：DMG7702SFG-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SOP
型号：
MCQ4407-TP
仓库库存编号：
MCQ4407-TPMSCT-ND
别名：MCQ4407-TPMSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7121ADN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7121ADN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7121ADN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6J505NU,LF
仓库库存编号：
SSM6J505NULFCT-ND
别名：SSM6J505NULFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
DMP3020LSS-13
仓库库存编号：
DMP3020LSSDICT-ND
别名：DMP3020LSSDICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
AO4264
仓库库存编号：
785-1697-1-ND
别名：785-1697-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
型号：
ZXMN3A04KTC
仓库库存编号：
ZXMN3A04KTCCT-ND
别名：ZXMN3A04KTCCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7386DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7386DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7386DP-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7386DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7386DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7386DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
