产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 89W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN012-60YS,115
仓库库存编号:
1727-4288-1-ND
别名:1727-4288-1
568-4977-1
568-4977-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 500W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA59N30
仓库库存编号:
FDA59N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3710ZPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZPBF-ND
别名:*IRF3710ZPBF
SP001564400
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB59N10DPBF
仓库库存编号:
IRFB59N10DPBF-ND
别名:*IRFB59N10DPBF
SP001560232
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 392W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA59N25
仓库库存编号:
FDA59N25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS59N10DPBF
仓库库存编号:
IRFS59N10DPBF-ND
别名:*IRFS59N10DPBF
SP001571716
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3710ZS
仓库库存编号:
AUIRF3710ZS-ND
别名:SP001522564
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 75W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y11-30B,115
仓库库存编号:
1727-4939-1-ND
别名:1727-4939-1
568-6233-1
568-6233-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3710ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRF3710ZSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) TO-262
型号:
IRF3710ZLPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZLPBF-ND
别名:*IRF3710ZLPBF
SP001571360
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF3710Z
仓库库存编号:
AUIRF3710Z-ND
别名:SP001522092
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90SKM60T1G
仓库库存编号:
APTC90SKM60T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90DAM60T1G
仓库库存编号:
APTC90DAM60T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90DAM60CT1G
仓库库存编号:
APTC90DAM60CT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90SKM60CT1G
仓库库存编号:
APTC90SKM60CT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF3707ZSTRLPBF-ND
别名:SP001563142
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 59A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 59A(Tc) 99W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7746PBF
仓库库存编号:
IRFB7746PBF-ND
别名:SP001556090
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS59N10DTRLP
仓库库存编号:
IRFS59N10DTRLP-ND
别名:SP001557452
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3710ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF3710ZSTRL-ND
别名:SP001519476
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76432P3
仓库库存编号:
HUF76432P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76432P3
仓库库存编号:
HUFA76432P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76432S3S
仓库库存编号:
HUFA76432S3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 59A(Tc) 130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76432S3ST
仓库库存编号:
HUFA76432S3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL59N10D
仓库库存编号:
IRFSL59N10D-ND
别名:*IRFSL59N10D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc),
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