产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)(1)
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63(9)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(9)
TO-220-3(8)
8-PowerVDFN(2)
TO-220-3 整包(4)
TO-247-3(19)
8-PowerWDFN(2)
SC-100,SOT-669(2)
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)(1)
PowerPAK? SO-8(3)
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA(2)
TO-3P-3,SC-65-3(6)
TO-264-3,TO-264AA(4)
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA(7)
SOT-227-4,miniBLOC(3)
ISOTOP(1)
TO-251-3 短截引线,IPak(1)
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA(1)
TO-220-3(SMT)标片(4)
ISOPLUS247?(1)
PLUS-220SMD(4)
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STMicroelectronics(10)
Fairchild/ON Semiconductor(4)
On Semiconductor(1)
Nexperia USA Inc.(5)
Toshiba Semiconductor and Storage(2)
Vishay Siliconix(9)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(2)
Microsemi Corporation(2)
IXYS(47)
Renesas Electronics America(1)
Infineon Technologies(11)
重新选择
表面贴装(40)
通孔(50)
底座安装(4)
重新选择
-(2)
-55°C ~ 150°C(TJ)(62)
-65°C ~ 175°C(TJ)(1)
-65°C ~ 150°C(TJ)(1)
-55°C ~ 175°C(TJ)(16)
150°C(TJ)(4)
-40°C ~ 150°C(TJ)(3)
-40°C ~ 175°C(TJ)(5)
重新选择
-(16)
SuperMESH??(1)
STripFET?? II(1)
汽车级,AEC-Q101,MDmesh?(1)
TrenchMOS??(1)
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?(4)
PowerTrench?(2)
汽车级,AEC-Q101,TrenchFET?(1)
UniFET??(1)
DeepGATE?,STripFET? VI(1)
U-MOSVIII-H(2)
TrenchP??(3)
PolarP??(4)
HiPerFET?,Polar3?(4)
HiPerFET??(14)
HiPerFET?,PolarHT?(3)
HiPerFET?,PolarP2?(4)
PolarHV??(13)
HEXFET?(8)
MDmesh? II Plus(5)
POWER MOS 8??(2)
CoolMOS? P7(3)
重新选择
剪切带(CT) (17)
散装 (3)
带卷(TR) (5)
管件 (64)
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在售(65)
已不再提供(2)
上次购买时间(8)
过期(19)
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8-SO(1)
D-Pak(5)
D2PAK(4)
TO-220-3(1)
TO-220AB(5)
TO-220(1)
TO-220FP(1)
TO-247-3(2)
TO-247(1)
MAX247?(1)
TO-252,(D-Pak)(3)
LFPAK56,Power-SO8(2)
8-WDFN(3.3x3.3)(1)
TO-252(1)
LFPAK33(1)
PowerPAK? SO-8(3)
D2PAK(TO-263AB)(1)
I-Pak(2)
8-SOP Advance(5x5)(1)
TO-263(D2Pak)(1)
TO-247AC(1)
TO-263(IXTA)(2)
TO-3P(6)
TO-247(IXTH)(2)
TO-247AD(IXFH)(7)
TO-268(6)
PLUS247?-3(4)
TO-264AA(IXFK)(4)
SOT-227B(1)
ISOTOP?(1)
SOT-227(2)
8-TSON Advance(3.3x3.3)(1)
TO-251A(1)
TO-220AB 整包(1)
PG-TO247-3(1)
TO-220 整包(1)
PG-TO220-3(1)
ISOPLUS247?(1)
TO-263(IXFA)(1)
PG-TO220 整包(1)
I2PAK(TO-262)(1)
TO-268(IXFT)(1)
8-HWSON(3.3x3.3)(1)
PLUS220(4)
PLUS-220SMD(4)
重新选择
MOSFET(金属氧化物)(94)
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±30V(37)
±20V(42)
±16V(1)
±25V(6)
±10V(2)
±15V(4)
重新选择
-(4)
39nC @ 10V(1)
30nC @ 10V(1)
54nC @ 10V(2)
180nC @ 10V(2)
110nC @ 10V(1)
200nC @ 10V(4)
22nC @ 10V(2)
36nC @ 10V(3)
41nC @ 10V(1)
11nC @ 5V(1)
72nC @ 10V(9)
3.8nC @ 4.5V(1)
60nC @ 10V(4)
44nC @ 10V(1)
7.9nC @ 10V(1)
86nC @ 10V(4)
52nC @ 10V(3)
56nC @ 10V(4)
24nC @ 5V(1)
65nC @ 10V(4)
42nC @ 10V(11)
95nC @ 10V(3)
51nC @ 10V(1)
43nC @ 10V(2)
160nC @ 10V(3)
240nC @ 10V(3)
92nC @ 10V(1)
197nC @ 10V(2)
225nC @ 10V(2)
305nC @ 10V(2)
18.6nC @ 10V(1)
45.5nC @ 10V(5)
490nC @ 10V(1)
40nC @ 4.5V(1)
660nC @ 10V(1)
13.5nC @ 5V(1)
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-(2)
14 毫欧 @ 5A,10V(1)
60 毫欧 @ 12A,10V(1)
40 毫欧 @ 20A,10V(2)
31 毫欧 @ 5A,10V(1)
45 毫欧 @ 5A,10V(2)
170 毫欧 @ 13A,10V(4)
200 毫欧 @ 13A,10V(6)
50 毫欧 @ 4.7A,10V(7)
40 毫欧 @ 26A,10V(1)
230 毫欧 @ 13A,10V(11)
460 毫欧 @ 13A,10V(1)
7.5 毫欧 @ 13A,10V(1)
250 毫欧 @ 16A,10V(2)
145 毫欧 @ 12A,10V(4)
125 毫欧 @ 13A,10V(5)
30 毫欧 @ 10A,10V(1)
60 毫欧 @ 15A,10V(1)
4.4 毫欧 @ 13A,10V(1)
52 毫欧 @ 13A,10V(1)
120 毫欧 @ 12.5A,10V(1)
35 毫欧 @ 13A,10V(1)
29 毫欧 @ 5A,10V(1)
160 毫欧 @ 13A,10V(1)
300 毫欧 @ 13A,10V(4)
25 毫欧 @ 17A,10V(1)
230 毫欧 @ 132A,10V(1)
260 毫欧 @ 14A,10V(1)
270 毫欧 @ 500mA,10V(9)
36 毫欧 @ 15A,10V(1)
58 毫欧 @ 15A,10V(1)
42 毫欧 @ 26A,10V(1)
3.8 毫欧 @ 26A,10V(1)
90 毫欧 @ 13A,10V(3)
120 毫欧 @ 8.2A,10V(3)
250 毫欧 @ 13A,10V(4)
390 毫欧 @ 13A,10V(2)
500 毫欧 @ 13A,10V(1)
396 毫欧 @ 18A,10V(2)
重新选择
5V(2)
10V(71)
5V,10V(1)
4.5V,10V(15)
8V,10V(2)
6.5V,10V(1)
重新选择
N 沟道(85)
P 沟道(9)
重新选择
26A(Tc)(94)
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-(2)
5100pF @ 25V(4)
400pF @ 25V(1)
3600pF @ 30V(2)
492pF @ 25V(1)
840pF @ 30V(1)
870pF @ 25V(1)
1735pF @ 50V(2)
3600pF @ 25V(7)
4200pF @ 25V(3)
3000pF @ 25V(1)
2740pF @ 25V(4)
3900pF @ 25V(3)
12000pF @ 25V(1)
1285pF @ 75V(1)
1100pF @ 25V(1)
4600pF @ 25V(1)
1850pF @ 100V(1)
16000pF @ 25V(2)
1020pF @ 25V(1)
1770pF @ 25V(1)
3820pF @ 25V(3)
5020pF @ 25V(2)
1800pF @ 30V(1)
1980pF @ 100V(4)
1781pF @ 100V(5)
1377pF @ 25V(1)
4040pF @ 25V(1)
2220pF @ 25V(4)
2200pF @ 100V(1)
3185pF @ 25V(1)
4150pF @ 25V(9)
10800pF @ 25V(3)
11900pF @ 25V(2)
1804pF @ 25V(1)
1924pF @ 25V(1)
1760pF @ 75V(1)
2490pF @ 10V(1)
1544pF @ 400V(3)
7868pF @ 25V(2)
740pF @ 50V(7)
重新选择
-(94)
重新选择
-(3)
4V @ 250μA(15)
2V @ 250μA(1)
2.5V @ 250μA(1)
1V @ 250μA(8)
5V @ 250μA(10)
2.4V @ 250μA(2)
2V @ 1mA(2)
2.8V @ 250μA(1)
4.5V @ 250μA(5)
4V @ 1mA(3)
2.1V @ 1mA(1)
4.5V @ 150μA(1)
5V @ 4mA(8)
4V @ 4mA(3)
4.5V @ 4mA(8)
5V @ 8mA(3)
5V @ 2.5mA(2)
5.5V @ 250μA(4)
4V @ 410μA(3)
5.5V @ 4mA(3)
6.5V @ 1mA(4)
4V @ 200μA(1)
2.2V @ 20μA(1)
3.75V @ 1mA(1)
重新选择
-(2)
45W(Tc)(1)
190W(Tc)(5)
35W(Tc)(2)
250W(Tc)(4)
400W(Tc)(5)
450W(Tc)(2)
1.5W(Ta)(1)
37W(Tc)(1)
20W(Tc)(1)
2.7W(Ta)(1)
2.5W(Ta),60W(Tc)(2)
106W(Tc)(2)
85W(Tc)(1)
150W(Tc)(3)
5.2W(Ta),64W(Tc)(2)
79W(Tc)(7)
300W(Tc)(9)
62W(Tc)(1)
375W(Tc)(1)
63W(Tc)(2)
78W(Tc)(1)
460W(Tc)(11)
360W(Tc)(4)
960W(Tc)(2)
600W(Tc)(1)
560W(Tc)(2)
95W(Tc)(2)
68W(Tc)(1)
46W(Tc)(1)
500W(Tc)(4)
470W(Tc)(2)
700mW(Ta),42W(Tc)(1)
28W(Tc)(1)
780W(Tc)(2)
543W(Tc)(2)
59W(Tc)(1)
265W(Tc)(1)
重新选择
150V(4)
80V(1)
200V(5)
100V(7)
40V(2)
30V(2)
60V(4)
250V(1)
900V(5)
600V(23)
400V(1)
1000V(4)
500V(24)
1200V(2)
55V(8)
550V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 26A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 26A(Tc) 2.5W(Ta),60W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD409
仓库库存编号:
785-1103-1-ND
别名:785-1103-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7430DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7430DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7430DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
STP24NF10
仓库库存编号:
497-3185-5-ND
别名:497-3185-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA26P20P
仓库库存编号:
IXTA26P20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP26P20P
仓库库存编号:
IXTP26P20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N50Q
仓库库存编号:
IXFH26N50Q-ND
别名:476048
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N50
仓库库存编号:
IXFH26N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD390N15A
仓库库存编号:
FDD390N15ACT-ND
别名:FDD390N15ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N50P
仓库库存编号:
IXFH26N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH26P20P
仓库库存编号:
IXTH26P20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK26N120P
仓库库存编号:
IXFK26N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 470W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP26N60LPBF
仓库库存编号:
IRFP26N60LPBF-ND
别名:*IRFP26N60LPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN7R506NH,L1Q
仓库库存编号:
TPN7R506NHL1QCT-ND
别名:TPN7R506NHL1QCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP25N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHP25N50E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF33N60M2
仓库库存编号:
497-14217-5-ND
别名:497-14217-5
STF33N60M2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 26A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ474EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ474EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ474EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Tc) 106W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7660-100A,118
仓库库存编号:
1727-7172-1-ND
别名:1727-7172-1
568-9657-1
568-9657-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 190W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
STI33N60M2
仓库库存编号:
497-15016-5-ND
别名:497-15016-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 2.7W(Ta) 8-SO
型号:
STS26N3LLH6
仓库库存编号:
497-12348-1-ND
别名:497-12348-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 5.2W(Ta),64W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7430DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7430DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7430DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 26A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH5200FNH,L1Q
仓库库存编号:
TPH5200FNHL1QCT-ND
别名:TPH5200FNHL1QCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 26A
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB34N50DM2AG
仓库库存编号:
497-16135-1-ND
别名:497-16135-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB33N60M2
仓库库存编号:
497-14973-1-ND
别名:497-14973-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 26A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 265W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP26N40
仓库库存编号:
FDP26N40-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 26A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN26N90
仓库库存编号:
IXFN26N90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc),
无铅
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