产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Renesas Electronics America (1)
Vishay Siliconix (2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA86151L
仓库库存编号:
FDMA86151LCT-ND
别名:FDMA86151LCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1.1W(Ta) 8-SO
型号:
SI4447DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4447DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4447DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
DMP3068L-7
仓库库存编号:
DMP3068L-7DICT-ND
别名:DMP3068L-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1.25W(Ta) 6-TSOP
型号:
AO6415
仓库库存编号:
785-1205-1-ND
别名:785-1205-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Ta) 1W(Ta) SOT-26
型号:
DMN2100UDM-7
仓库库存编号:
DMN2100UDMDICT-ND
别名:DMN2100UDMDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 820mW(Ta) U-WLB1010-4
型号:
DMP1080UCB4-7
仓库库存编号:
DMP1080UCB4-7DICT-ND
别名:DMP1080UCB4-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1.1W(Ta) 8-SO
型号:
SI4447DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4447DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4447DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 3.3A U-DFN2020
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 700mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMP4047LFDE-7
仓库库存编号:
DMP4047LFDE-7DICT-ND
别名:DMP4047LFDE-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4151PT1G
仓库库存编号:
NTJS4151PT1GOSCT-ND
别名:NTJS4151PT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3.3A
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1.1W(Ta) 8-SO
型号:
DMS2085LSD-13
仓库库存编号:
DMS2085LSD-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.3A(Ta) 700mW(Ta) ChipFET?
型号:
NTHS4111PT1G
仓库库存编号:
NTHS4111PT1GOSCT-ND
别名:NTHS4111PT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.3A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4151PT1
仓库库存编号:
NTJS4151PT1OSCT-ND
别名:NTJS4151PT1OSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.3A(Ta) 900mW(Ta) 8-SO
型号:
FDFS2P102A
仓库库存编号:
FDFS2P102ACT-ND
别名:FDFS2P102A_NLCT
FDFS2P102A_NLCT-ND
FDFS2P102ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.3A(Ta) 900mW(Ta) 8-SO
型号:
FDFS2P102
仓库库存编号:
FDFS2P102CT-ND
别名:FDFS2P102_NLCT
FDFS2P102_NLCT-ND
FDFS2P102CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.3A(Ta) 770mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4N01R2G
仓库库存编号:
NTMS4N01R2GOS-ND
别名:NTMS4N01R2GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.3A(Ta) 770mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMD4884NFR2G
仓库库存编号:
NTMD4884NFR2G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.3A(Ta) 1.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDFMA3P029Z
仓库库存编号:
FDFMA3P029ZCT-ND
别名:FDFMA3P029ZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.3A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV28UN,215
仓库库存编号:
568-10832-1-ND
别名:568-10832-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.3A(Ta) 800mW(Ta) 3-MPAK
型号:
RQJ0303PGDQA#H6
仓库库存编号:
RQJ0303PGDQA#H6-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.3A(Ta),
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