产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
IXYS (8)
Fairchild/ON Semiconductor (11)
ON Semiconductor (1)
STMicroelectronics (2)
Vishay Siliconix (10)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N100TM
仓库库存编号:
FQD2N100TMCT-ND
别名:FQD2N100TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 3.3W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SQ1421EDH-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ1421EDH-T1_GE3CT-ND
别名:SQ1421EDH-T1_GE3CT
SQ1421EEH-T1-GE3CT
SQ1421EEH-T1-GE3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1499DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1499DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1499DH-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1499DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1499DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1499DH-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N50BTU_WS
仓库库存编号:
FQU2N50BTU_WS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 27.8W(Tc) I-Pak
型号:
FCU4300N80Z
仓库库存编号:
FCU4300N80Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N50D2
仓库库存编号:
IXTY1R6N50D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N50D2
仓库库存编号:
IXTP1R6N50D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 19.2W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF4300N80Z
仓库库存编号:
FCPF4300N80Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2309CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2309CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2309CDS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2309CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2309CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2309CDS-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTY1R6N100D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 15.6W(Tc)
型号:
SIA485DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA485DJ-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 2W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2398ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2398ES-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N100TU
仓库库存编号:
FQU2N100TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 43W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N50P
仓库库存编号:
IXTY1R6N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTP1R6N100D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTA1R6N100D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1R6N50D2
仓库库存编号:
IXTA1R6N50D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 1.6A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD2NK70ZT4
仓库库存编号:
497-4331-1-ND
别名:497-4331-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 700V 1.6A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD2NK70Z-1
仓库库存编号:
497-12556-5-ND
别名:497-12556-5
STD2NK70Z-1-ND
STD2NK70Z1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N50BTU
仓库库存编号:
FQU2N50BTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N50TM
仓库库存编号:
FQD2N50TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N50TF
仓库库存编号:
FQD2N50TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 1.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 1.6A(Tc) 20W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N40
仓库库存编号:
FQPF3N40-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号