产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Diodes Incorporated (2)
Infineon Technologies (4)
ON Semiconductor (3)
Taiwan Semiconductor Corporation (4)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
Vishay Siliconix (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7414DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7414DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7414DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7414DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7414DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7414DN-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
DMN3032LE-13
仓库库存编号:
DMN3032LE-13DICT-ND
别名:DMN3032LE-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMSF3P02HDR2G
仓库库存编号:
MMSF3P02HDR2GOSCT-ND
别名:MMSF3P02HDR2GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS6802TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS6802PBFCT-ND
别名:*IRLMS6802TRPBF
IRLMS6802PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 700mW(Ta),39W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN2010FNH,L1Q
仓库库存编号:
TPN2010FNHL1QCT-ND
别名:TPN2010FNHL1QCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 1.9W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMP3A16N8TA
仓库库存编号:
ZXMP3A16N8CT-ND
别名:ZXMP3A16N8CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.6W(Ta),42W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2010FNH,L1Q
仓库库存编号:
TPH2010FNHL1QCT-ND
别名:TPH2010FNHL1QCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMSF3P02HDR2
仓库库存编号:
MMSF3P02HDR2OSCT-ND
别名:MMSF3P02HDR2OSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
MMSF3P02HDR2SG
仓库库存编号:
MMSF3P02HDR2SG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 1.25W(Ta) 8-SO
型号:
SI9424BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9424BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9424BDY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 1.25W(Ta) 8-SO
型号:
SI9424BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9424BDY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM6N50CH C5G
仓库库存编号:
TSM6N50CH C5G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGTR-ND
别名:TSM6N50CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGCT-ND
别名:TSM6N50CP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGDKR-ND
别名:TSM6N50CP ROGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TR
仓库库存编号:
IRF7603CT-ND
别名:*IRF7603TR
IRF7603
IRF7603CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS6802TR
仓库库存编号:
IRLMS6802CT-ND
别名:*IRLMS6802TR
IRLMS6802
IRLMS6802CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TRPBF
仓库库存编号:
IRF7603TRPBFCT-ND
别名:IRF7603TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Ta),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号