产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Ta）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商
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零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）(1)
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Renesas Electronics America(1)
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表面贴装(1)
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175°C（TJ）(1)
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-(1)
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带卷（TR） (1)
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过期(1)
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TO-263-7(1)
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MOSFET（金属氧化物）(1)
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±20V(1)
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270nC @ 10V(1)
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2 毫欧 @ 80A，10V(1)
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4.5V，10V(1)
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N 沟道(1)
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160A（Ta）(1)
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15750pF @ 25V(1)
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-(1)
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2.5V @ 250μA(1)
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1.8W（Ta），220W（Tc）(1)
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40V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Ta） 1.8W（Ta），220W（Tc） TO-263-7
型号：
NP160N04TDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP160N04TDG-E1-AY-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Ta）,
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