产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Global Power Technologies Group (2)
Infineon Technologies (5)
IXYS (1)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (3)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (11)
Vishay Siliconix (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 70W(Tc) PowerFLAT?(5x5)
型号:
STL11N65M5
仓库库存编号:
497-15261-1-ND
别名:497-15261-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N65APBF
仓库库存编号:
IRFB9N65APBF-ND
别名:*IRFB9N65APBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NM50N
仓库库存编号:
497-10576-5-ND
别名:497-10576-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12N65M5
仓库库存编号:
497-10304-5-ND
别名:497-10304-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 1.25W(Tc) SOT-457
型号:
RQ6E085BNTCR
仓库库存编号:
RQ6E085BNTCRCT-ND
别名:RQ6E085BNTCRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R600P7SAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R600P7SAKMA1-ND
别名:SP001499714
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD11NM50N
仓库库存编号:
497-10567-1-ND
别名:497-10567-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 48W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL12N65M5
仓库库存编号:
497-13964-1-ND
别名:497-13964-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 43W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R600P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 8.5A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z24GPBF
仓库库存编号:
IRFI9Z24GPBF-ND
别名:*IRFI9Z24GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11NM50N
仓库库存编号:
497-12566-5-ND
别名:497-12566-5
STF11NM50N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12N65M5
仓库库存编号:
497-10569-5-ND
别名:497-10569-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA70R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA70R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001499700
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD12N65M5
仓库库存编号:
497-10568-1-ND
别名:497-10568-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 6.9W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R600P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN70R600P7SATMA1CT-ND
别名:IPN70R600P7SATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP14NF12FP
仓库库存编号:
497-12606-5-ND
别名:497-12606-5
STP14NF12FP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP24N60C5M
仓库库存编号:
IXKP24N60C5M-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8.5A(Tc) 24.9W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN70R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAN70R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001682068
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.5A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STU12N65M5
仓库库存编号:
497-11401-5-ND
别名:497-11401-5
STU12N65M5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.5A(Tc) 70W(Tc) I2PAK
型号:
STI12N65M5
仓库库存编号:
497-11326-5-ND
别名:497-11326-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.5A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N65A
仓库库存编号:
IRFB9N65A-ND
别名:*IRFB9N65A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8.5A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z24G
仓库库存编号:
IRFI9Z24G-ND
别名:*IRFI9Z24G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 8.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 300V 8.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF14N30
仓库库存编号:
FQPF14N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8.5A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF08N50ZG
仓库库存编号:
NDF08N50ZGOS-ND
别名:NDF08N50ZG-ND
NDF08N50ZGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.5A(Tc) 2W(Ta),40W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
2SK4089LS
仓库库存编号:
2SK4089LS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.5A(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号