产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 310W(Tc) D2PAK
型号:
STB200NF04T4
仓库库存编号:
497-3513-1-ND
别名:497-3513-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R5-60E,118
仓库库存编号:
1727-7136-1-ND
别名:1727-7136-1
568-9569-1
568-9569-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 395W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB024N06
仓库库存编号:
FDB024N06CT-ND
别名:FDB024N06CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R1-30PL,127
仓库库存编号:
1727-5291-ND
别名:1727-5291
568-6719
568-6719-5
568-6719-5-ND
568-6719-ND
934065166127
PSMN1R130PL127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB035N10A
仓库库存编号:
FDB035N10ACT-ND
别名:FDB035N10ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB031N08
仓库库存编号:
FDB031N08CT-ND
别名:FDB031N08CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 310W(Tc) TO-220AB
型号:
STP200NF04
仓库库存编号:
497-3524-5-ND
别名:497-3524-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N65X2
仓库库存编号:
IXFX120N65X2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN3R3-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7108-1-ND
别名:1727-7108-1
568-9478-1
568-9478-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN1R7-60BS,118
仓库库存编号:
1727-7106-1-ND
别名:1727-7106-1
568-9476-1
568-9476-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB015N04L G
仓库库存编号:
IPB015N04L GCT-ND
别名:IPB015N04L GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
别名:SQM120N10-3M8_GE3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
别名:SQM120N10-3M8_GE3-ND
SQM120N10-3M8_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB019N06L3 G
仓库库存编号:
IPB019N06L3 GCT-ND
别名:IPB019N06L3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB025N08N3 G
仓库库存编号:
IPB025N08N3 GCT-ND
别名:IPB025N08N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN3R5-80PS,127
仓库库存编号:
1727-5282-ND
别名:1727-5282
568-6710
568-6710-5
568-6710-5-ND
568-6710-ND
934065169127
PSMN3R580PS127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB047N10
仓库库存编号:
FDB047N10CT-ND
别名:FDB047N10CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB038N12N3 G
仓库库存编号:
IPB038N12N3 GCT-ND
别名:IPB038N12N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN2R0-60PS,127
仓库库存编号:
1727-5284-ND
别名:1727-5284
568-6712
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568-6712-5-ND
568-6712-ND
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产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 220W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3306PBF
仓库库存编号:
IRFP3306PBF-ND
别名:AUXYBFP3306
AUXYBFP3306-ND
SP001564200
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 338W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R5-40PS,127
仓库库存编号:
1727-5288-ND
别名:1727-5288
568-6716
568-6716-5
568-6716-5-ND
568-6716-ND
934065167127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB020N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB020N10N5ATMA1CT-ND
别名:IPB020N10N5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP50020EL-GE3
仓库库存编号:
SUP50020EL-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 280W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3206PBF
仓库库存编号:
IRFP3206PBF-ND
别名:SP001578056
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 280W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4310ZPBF
仓库库存编号:
IRFP4310ZPBF-ND
别名:SP001572864
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc),
无铅
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