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• IXYS
  MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tj） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT2N170D2
  仓库库存编号：IXTT2N170D2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Tj）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tj） 375mW（Ta），2.4W（Tc） 6-TSSOP
  
  型号：PMG85XP,115
  仓库库存编号：1727-1353-1-ND
  别名：1727-1353-1
  568-10791-1
  568-10791-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Tj）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 2A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tj） 375mW（Ta），2.4W（Tc） 6-TSSOP
  
  型号：PMG85XPH
  仓库库存编号：PMG85XPH-ND
  别名：934064765125
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Tj）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1700V 2A（Tj） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH2N170D2
  仓库库存编号：IXTH2N170D2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Tj）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC014N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC014N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000454346
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Tj）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC028N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC028N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000555720
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Tj）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC218N04N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC218N04N3X1SA1-ND
  别名：SP000448986
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Tj）,
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