产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(5)
SC-70，SOT-323(2)
TO-243AA(1)
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Diodes Incorporated(2)
Nexperia USA Inc.(3)
IXYS Integrated Circuits Division(1)
Infineon Technologies(2)
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表面贴装(8)
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-55°C ~ 125°C（TA）(1)
-55°C ~ 150°C（TA）(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）(6)
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-(4)
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(2)
SIPMOS?(2)
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剪切带（CT） (6)
带卷（TR） (2)
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在售(7)
已不再提供(1)
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TO-236AB（SOT23）(3)
SOT-323(2)
SOT-89-3(1)
PG-SC-59(2)
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MOSFET（金属氧化物）(8)
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±20V(7)
±15V(1)
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-(1)
0.8nC @ 4.5V(2)
0.7nC @ 4.5V(1)
7nC @ 10V(2)
1.2nC @ 10V(2)
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1.6 欧姆 @ 500mA，10V(1)
1.6 欧姆 @ 300mA，10V(1)
1.6 欧姆 @ 350mA，10V(1)
4 欧姆 @ 200mA，0V(1)
2 欧姆 @ 270mA，10V(2)
1.8 欧姆 @ 360mA，10V(2)
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10V(3)
5V，10V(2)
4.5V，10V(2)
0V(1)
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N 沟道(6)
P 沟道(2)
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360mA（Ta）(8)
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350pF @ 25V(1)
50pF @ 10V(2)
56pF @ 10V(1)
45.8pF @ 25V(2)
165pF @ 25V(2)
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-(7)
耗尽模式(1)
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-(1)
2.4V @ 250μA(1)
1.5V @ 250μA(1)
1.5V @ 100μA(2)
1.6V @ 250μA(1)
1V @ 170μA(2)
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350mW（Ta）(1)
500mW（Ta）(1)
500mW（Tc）(1)
1.1W（Ta）(1)
320mW（Ta）(2)
350mW（Ta），1.14W（Tc）(2)
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50V(2)
100V(2)
60V(3)
250V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
2N7002P,215
仓库库存编号：
1727-4692-1-ND
别名：1727-4692-1
568-5818-1
568-5818-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 350mW（Ta），1.14W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
BSS138P,215
仓库库存编号：
1727-1142-1-ND
别名：1727-1142-1
568-10308-1
568-10308-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 350mW（Ta），1.14W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
BSS138BK,215
仓库库存编号：
1727-1141-1-ND
别名：1727-1141-1
568-10307-1
568-10307-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-89-3
型号：
CPC3703CTR
仓库库存编号：
CPC3703CCT-ND
别名：CPC3703CCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN53D0LW-7
仓库库存编号：
DMN53D0LW-7DICT-ND
别名：DMN53D0LW-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 360mA（Ta） 500mW（Tc） PG-SC-59
型号：
BSR316PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSR316PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSR316PH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN53D0LW-13
仓库库存编号：
DMN53D0LW-13DITR-ND
别名：DMN53D0LW-13DITR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 360mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR316PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR316PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR316P L6327
BSR316P L6327-ND
SP000265407
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 360mA（Ta）,
无铅
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邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
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