产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 350mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
2N7002P,215
仓库库存编号:
1727-4692-1-ND
别名:1727-4692-1
568-5818-1
568-5818-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSS138P,215
仓库库存编号:
1727-1142-1-ND
别名:1727-1142-1
568-10308-1
568-10308-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSS138BK,215
仓库库存编号:
1727-1141-1-ND
别名:1727-1141-1
568-10307-1
568-10307-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta),
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-89-3
型号:
CPC3703CTR
仓库库存编号:
CPC3703CCT-ND
别名:CPC3703CCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN53D0LW-7
仓库库存编号:
DMN53D0LW-7DICT-ND
别名:DMN53D0LW-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 360mA(Ta) 500mW(Tc) PG-SC-59
型号:
BSR316PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSR316PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSR316PH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN53D0LW-13
仓库库存编号:
DMN53D0LW-13DITR-ND
别名:DMN53D0LW-13DITR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 360mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR316PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSR316PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSR316P L6327
BSR316P L6327-ND
SP000265407
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 360mA(Ta),
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