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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3K56MFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3K56MFVL3FCT-ND
  别名：SSM3K56MFVL3FCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
  详细描述：表面贴装 P 沟道 800mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
  
  型号：SSM3J56MFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3J56MFVL3FCT-ND
  别名：SSM3J56MFVL3F(TCT
  SSM3J56MFVL3F(TCT-ND
  SSM3J56MFVL3FCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET NCH 20V 800MA CST3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 800mA（Ta） 500mW（Ta） CST3
  
  型号：SSM3K56CT,L3F
  仓库库存编号：SSM3K56CTL3FCT-ND
  别名：SSM3K56CTL3FCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 800mA（Ta） 1.5W（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN86265P
  仓库库存编号：FDN86265PCT-ND
  别名：FDN86265PCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4210GTA
  仓库库存编号：ZVN4210GCT-ND
  别名：ZVN4210GCT
  ZVN4210GTA-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Ta） 323mW（Ta）, 554mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV450ENEAR
  仓库库存编号：1727-2532-1-ND
  别名：1727-2532-1
  568-12971-1
  568-12971-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD220PBF
  仓库库存编号：IRFD220PBF-ND
  别名：*IRFD220PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 0.8A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Ta） 150mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3K56FS,LF
  仓库库存编号：SSM3K56FSLFCT-ND
  别名：SSM3K56FSLF(TCT
  SSM3K56FSLF(TCT-ND
  SSM3K56FSLFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Ta） 26W（Tc） DPAK
  
  型号：NDDL01N60ZT4G
  仓库库存编号：NDDL01N60ZT4G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Ta） 26W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：NDDL01N60Z-1G
  仓库库存编号：NDDL01N60Z-1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 800mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD220
  仓库库存编号：IRFD220-ND
  别名：*IRFD220
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 800mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：SPN04N60S5
  仓库库存编号：SPN04N60S5-ND
  别名：SP000012414
  SP000101882
  SPN04N60S5T
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 800mA（Ta）,
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