产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Tc) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3456DDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3456DDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3456DDV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB456DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB456DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB456DK-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 6.3A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.3A(Tc) 29.2W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R380CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R380CEXKSA2-ND
别名:SP001217228
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.3A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF630
仓库库存编号:
FQPF630-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.3A(Tc) 60W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF8N90C
仓库库存编号:
FQPF8N90C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Tc) 171W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB8N90CTM
仓库库存编号:
FQB8N90CTMCT-ND
别名:FQB8N90CTMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.3A(Tc) 171W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP8N90C
仓库库存编号:
FQP8N90C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Tc) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3456DDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3456DDV-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.3A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN23UN,135
仓库库存编号:
568-7416-1-ND
别名:568-7416-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.3A(Tc) 185W(Tc) TO-3P
型号:
FQA6N80
仓库库存编号:
FQA6N80-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.3A(Tc) 185W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA6N80_F109
仓库库存编号:
FQA6N80_F109-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.3A(Tc),
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