以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13381F4
  仓库库存编号：296-38912-2-ND
  别名：296-38912-2
  CSD13381F4-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2B01FTA
  仓库库存编号：ZXMN2B01FCT-ND
  别名：ZXMN2B01FCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4306GTA
  仓库库存编号：ZVN4306GCT-ND
  别名：ZVN4306G
  ZVN4306GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4434DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4434DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4434DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13381F4T
  仓库库存编号：296-37779-1-ND
  别名：296-37779-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4434DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4434DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4434DY-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Ta） 1.8W（Ta），14W（Tc） SOT-223
  
  型号：DMP6250SE-13
  仓库库存编号：DMP6250SE-13DICT-ND
  别名：DMP6250SE-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 460mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV130ENEAR
  仓库库存编号：1727-2299-1-ND
  别名：1727-2299-1
  568-12585-1
  568-12585-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 513mW（Ta）, 6.4W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV120ENEAR
  仓库库存编号：1727-2525-1-ND
  别名：1727-2525-1
  568-12964-1
  568-12964-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 3W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4306GVTA
  仓库库存编号：ZVN4306GVCT-ND
  别名：ZVN4306GV
  ZVN4306GVCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3422
  仓库库存编号：785-1015-1-ND
  别名：785-1015-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC3535
  仓库库存编号：FDC3535CT-ND
  别名：FDC3535CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-74A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Ta） 600mW（Ta） 迷你型5-G3-B
  
  型号：FL5252050R
  仓库库存编号：FL5252050R-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.1A（Ta） 600mW（Ta） Micro8?
  
  型号：NTTS2P03R2
  仓库库存编号：NTTS2P03R2OS-ND
  别名：NTTS2P03R2OS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.1A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2302ADS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2302ADS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2302ADS-T1-E3CT
  SI2302ADST1E3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.48A 8MICRO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.1A（Ta） 600mW（Ta） Micro8?
  
  型号：NTTS2P03R2G
  仓库库存编号：NTTS2P03R2GOSCT-ND
  别名：NTTS2P03R2GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.1A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2302ADS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2302ADS-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.1A（Ta）,
• 无铅
• 搜索