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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMN2050L-7
  仓库库存编号：DMN2050LDICT-ND
  别名：DMN2050LDICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4346DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4346DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4346DY-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD17585F5T
  仓库库存编号：296-45068-1-ND
  别名：296-45068-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.9A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：NDT454P
  仓库库存编号：NDT454PFSCT-ND
  别名：NDT454PFSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4346DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4346DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.9A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3473DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3473DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3473DV-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5473DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5473DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5473DC-T1-E3CT
  SI5473DCT1E3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.9A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3473DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3473DV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5473DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5473DC-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6008-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6008-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6008-H(TE85LFM
  TPC6008HTE85LFM
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.9A（Ta）,
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