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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 2W（Tc）
  
  型号：SQ2361AEES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2361AEES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2361AEES-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT13N06LTF
  仓库库存编号：FQT13N06LTFCT-ND
  别名：FQT13N06LTFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7317DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7317DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7317DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3N50
  仓库库存编号：785-1175-1-ND
  别名：785-1175-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N60CTM
  仓库库存编号：FQD5N60CTMCT-ND
  别名：FQD5N60CTMCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU3N50
  仓库库存编号：785-1176-5-ND
  别名：785-1176-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301BCX RFG
  仓库库存编号：TSM2301BCX RFGTR-ND
  别名：TSM2301BCX RFGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301BCX RFG
  仓库库存编号：TSM2301BCX RFGCT-ND
  别名：TSM2301BCX RFGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Tc） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301BCX RFG
  仓库库存编号：TSM2301BCX RFGDKR-ND
  别名：TSM2301BCX RFGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K4CFDBTMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
  别名：IPD65R1K4CFDBTMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 2W（Tc）
  
  型号：SQ2361ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2361ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2361ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT13N06TF
  仓库库存编号：FQT13N06TFFSCT-ND
  别名：FQT13N06TFFSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.2W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT86244
  仓库库存编号：FDT86244CT-ND
  别名：FDT86244CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N60CTM_WS
  仓库库存编号：FQD5N60CTM_WSCT-ND
  别名：FQD5N60CTM_WSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3N80
  仓库库存编号：785-1620-1-ND
  别名：785-1620-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 3.1W（Ta），5.9W（Tc）
  
  型号：SI4455DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4455DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4455DY-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 2.8A（Tc） 52W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP3P20
  仓库库存编号：FQP3P20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3PK50Z
  仓库库存编号：497-12121-1-ND
  别名：497-12121-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301ACX RFG
  仓库库存编号：TSM2301ACX RFGTR-ND
  别名：TSM2301ACX RFGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301ACX RFG
  仓库库存编号：TSM2301ACX RFGCT-ND
  别名：TSM2301ACX RFGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 700mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2301ACX RFG
  仓库库存编号：TSM2301ACX RFGDKR-ND
  别名：TSM2301ACX RFGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 41W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMN60H3D5SK3-13
  仓库库存编号：DMN60H3D5SK3-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5N60CTU
  仓库库存编号：FQU5N60CTU-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF3N80
  仓库库存编号：785-1639-5-ND
  别名：785-1639-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 41W（Tc） TO-251
  
  型号：DMG3N60SJ3
  仓库库存编号：DMG3N60SJ3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Tc）,
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