产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 37W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y153-100E,115
仓库库存编号:
1727-1493-1-ND
别名:1727-1493-1
568-10973-1
568-10973-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NTRPBF
仓库库存编号:
IRFR120NPBFCT-ND
别名:*IRFR120NTRPBF
IRFR120NPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 700mW(Ta),27W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN3300ANH,LQ
仓库库存编号:
TPN3300ANHLQCT-ND
别名:TPN3300ANHLQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) I-Pak
型号:
FQU11P06TU
仓库库存编号:
FQU11P06TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR9N20DTRPBFCT-ND
别名:IRFR9N20DTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 9.4A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120NPBF
仓库库存编号:
IRFU120NPBF-ND
别名:*IRFU120NPBF
SP001557678
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Tc) 37.3W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y153-100EX
仓库库存编号:
1727-1802-1-ND
别名:1727-1802-1
568-11416-1
568-11416-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD11P06TM
仓库库存编号:
FQD11P06TMCT-ND
别名:FQD11P06TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD12P10TM_F085
仓库库存编号:
FQD12P10TM_F085CT-ND
别名:FQD12P10TM_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 9.4A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9P25
仓库库存编号:
FQP9P25FS-ND
别名:FQP9P25-ND
FQP9P25FS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 60V 9.4A(Tc) 24W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF13N06
仓库库存编号:
FQPF13N06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) D-Pak
型号:
FQD11P06TF
仓库库存编号:
FQD11P06TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD12P10TF
仓库库存编号:
FQD12P10TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD12P10TM
仓库库存编号:
FQD12P10TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.4A(Tc) 3.13W(Ta),90W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9N25TM
仓库库存编号:
FQB9N25TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 9.4A(Tc) 3.13W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9P25TM
仓库库存编号:
FQB9P25TMCT-ND
别名:FQB9P25TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9N20D
仓库库存编号:
IRFU9N20D-ND
别名:*IRFU9N20D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTR
仓库库存编号:
IRFR9N20DTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTRL
仓库库存编号:
IRFR9N20DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.4A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9N20DTRR
仓库库存编号:
IRFR9N20DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.4A(Tc),
含铅
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