产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 40V SO23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2389ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2389ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2389ES-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE30PBF
仓库库存编号:
IRFBE30PBF-ND
别名:*IRFBE30PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30SPBF
仓库库存编号:
IRFBE30SPBF-ND
别名:*IRFBE30SPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE30PBF
仓库库存编号:
IRFPE30PBF-ND
别名:*IRFPE30PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.7W(Ta),2.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4823DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4823DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4823DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 4.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9634GPBF
仓库库存编号:
IRFI9634GPBF-ND
别名:*IRFI9634GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI620GPBF
仓库库存编号:
IRFI620GPBF-ND
别名:*IRFI620GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30LPBF
仓库库存编号:
IRFBE30LPBF-ND
别名:*IRFBE30LPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.7W(Ta),2.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4823DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4823DY-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBE30STRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE30
仓库库存编号:
IRFPE30-ND
别名:*IRFPE30
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE30
仓库库存编号:
IRFBE30-ND
别名:*IRFBE30
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI620G
仓库库存编号:
IRFI620G-ND
别名:*IRFI620G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 250V 4.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9634G
仓库库存编号:
IRFI9634G-ND
别名:*IRFI9634G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE30L
仓库库存编号:
IRFBE30L-ND
别名:*IRFBE30L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30S
仓库库存编号:
IRFBE30S-ND
别名:*IRFBE30S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRL
仓库库存编号:
IRFBE30STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.1A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE30STRR
仓库库存编号:
IRFBE30STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
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MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI620
仓库库存编号:
IRFI620-ND
别名:*IRFI620
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Vishay Siliconix,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Tc),
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