产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 14.9W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD1600N10ALZ
仓库库存编号:
FDD1600N10ALZCT-ND
别名:FDD1600N10ALZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.8A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520PBF
仓库库存编号:
IRF9520PBF-ND
别名:*IRF9520PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520SPBF
仓库库存编号:
IRF9520SPBF-ND
别名:*IRF9520SPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 14.9W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD1600N10ALZD
仓库库存编号:
FDD1600N10ALZDCT-ND
别名:FDD1600N10ALZDCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC40PBF
仓库库存编号:
IRFPC40PBF-ND
别名:*IRFPC40PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4100DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4100DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4100DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.8A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4100DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4100DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4100DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3457EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3457EV-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9520STRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9520STRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6.8A(Tc) 30.5W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF7N60NT
仓库库存编号:
FCPF7N60NT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520NPBF
仓库库存编号:
IRF9520NPBF-ND
别名:*IRF9520NPBF
Q5233848
SP001554524
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429478
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9520
仓库库存编号:
IRF9520-ND
别名:*IRF9520
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520S
仓库库存编号:
IRF9520S-ND
别名:*IRF9520S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRL
仓库库存编号:
IRF9520STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC40
仓库库存编号:
IRFPC40-ND
别名:*IRFPC40
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9520L
仓库库存编号:
IRF9520L-ND
别名:*IRF9520L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520STRR
仓库库存编号:
IRF9520STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 6.8A(Tc) 46W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB7N50LPBF
仓库库存编号:
IRFIB7N50LPBF-ND
别名:*IRFIB7N50LPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.8A(Tc) 1.92W(Ta) 8-MLP,MicroFET(3x2)
型号:
FDM606P
仓库库存编号:
FDM606P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF10N20
仓库库存编号:
FQPF10N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NS
仓库库存编号:
IRF9520NS-ND
别名:*IRF9520NS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF9520NL
仓库库存编号:
IRF9520NL-ND
别名:*IRF9520NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NSTRL
仓库库存编号:
IRF9520NSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.8A(Tc),
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