产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix (17)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9014PBFCT-ND
别名:*IRFR9014TRPBF
IRFR9014PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB5N65APBF
仓库库存编号:
IRFIB5N65APBF-ND
别名:*IRFIB5N65APBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9014PBF
仓库库存编号:
IRFU9014PBF-ND
别名:*IRFU9014PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R1K2C3
仓库库存编号:
IPA90R1K2C3-ND
别名:IPA90R1K2C3XKSA1
Q4141204
SP000413714
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Tc) 3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3457CDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3457CDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3457CDV-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP90R1K2C3
仓库库存编号:
IPP90R1K2C3-ND
别名:IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K2C3
仓库库存编号:
IPW90R1K2C3-ND
别名:IPW90R1K2C3FKSA1
SP000413754
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Tc) 2W(Ta),3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3457CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3457CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3457CDV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR9014TRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K2C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K2C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K2C3
IPI90R1K2C3-ND
SP000413724
SP000683080
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.1A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB5N65A
仓库库存编号:
IRFIB5N65A-ND
别名:*IRFIB5N65A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014
仓库库存编号:
IRFR9014-ND
别名:*IRFR9014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TR
仓库库存编号:
IRFR9014TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRL
仓库库存编号:
IRFR9014TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9014
仓库库存编号:
IRFU9014-ND
别名:*IRFU9014
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014NTRL
仓库库存编号:
IRFR9014NTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014NTR
仓库库存编号:
IRFR9014NTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014NTRR
仓库库存编号:
IRFR9014NTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRR
仓库库存编号:
IRFR9014TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.1A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1470DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1470DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1470DH-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.1A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1470DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1470DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1470DH-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014N
仓库库存编号:
IRFR9014N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9014N
仓库库存编号:
IRFU9014N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.1A(Tc),
含铅
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