产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),100A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
8-PowerVDFN(2)
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Texas Instruments(1)
Infineon Technologies(5)
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表面贴装(6)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(6)
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NexFET??(1)
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剪切带(CT) (5)
带卷(TR) (1)
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8-VSON(5x6)(1)
PG-TDSON-8(3)
PQFN(5x6)(2)
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MOSFET(金属氧化物)(6)
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±20V(5)
+10V,-8V(1)
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100nC @ 10V(1)
64nC @ 10V(1)
73nC @ 10V(1)
75nC @ 10V(1)
11.6nC @ 4.5V(1)
29nC @ 5V(1)
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3.7 毫欧 @ 50A,10V(1)
5.6 毫欧 @ 50A,10V(1)
3.5 毫欧 @ 50A,10V(1)
3 毫欧 @ 30A,10V(1)
4.1 毫欧 @ 50A,10V(1)
5.1 毫欧 @ 20A,8V(1)
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10V(2)
4.5V,10V(3)
3V,8V(1)
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N 沟道(6)
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21A(Ta),100A(Tc)(6)
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5100pF @ 20V(1)
5700pF @ 15V(1)
1560pF @ 15V(1)
3660pF @ 15V(1)
3090pF @ 25V(1)
4175pF @ 30V(1)
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-(6)
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4V @ 250μA(1)
2V @ 250μA(1)
1.8V @ 250μA(1)
2V @ 50μA(1)
2V @ 36μA(1)
4V @ 150μA(1)
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3.1W(Ta)(1)
2.8W(Ta),69W(Tc)(1)
2.5W(Ta),69W(Tc)(2)
3.6W(Ta),156W(Tc)(1)
3.6W(Ta),114W(Tc)(1)
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25V(1)
40V(1)
30V(2)
60V(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC035N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC035N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC035N04LS GCT
BSC035N04LS GCT-ND
BSC035N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),100A(Tc),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17310Q5A
仓库库存编号:
296-25858-1-ND
别名:296-25858-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),100A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 21A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC037N025S G
仓库库存编号:
BSC037N025S G-ND
别名:BSC037N025SGXT
SP000095466
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 21A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5006TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5006TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5006TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 21A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),114W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5106TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5106TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5106TR2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),100A(Tc),
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