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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ16DN25NS3 G
  仓库库存编号：BSZ16DN25NS3GCT-ND
  别名：BSZ16DN25NS3GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.9A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC16DN25NS3 G
  仓库库存编号：BSC16DN25NS3GCT-ND
  别名：BSC16DN25NS3GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.9A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 10.9A（Tc） 104.2W（Tc） Thin-Pak（8x8）
  
  型号：IPL65R340CFDAUMA1
  仓库库存编号：IPL65R340CFDAUMA1-ND
  别名：SP000949258
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.9A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.9A（Tc） 57.7W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU11NQ10T,127
  仓库库存编号：PHU11NQ10T,127-ND
  别名：934056349127
  PHU11NQ10T
  PHU11NQ10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.9A（Tc）,
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