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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z14PBF
  仓库库存编号：IRF9Z14PBF-ND
  别名：*IRF9Z14PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
  
  型号：IPL60R650P6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R650P6SATMA1CT-ND
  别名：IPL60R650P6SATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14SPBF
  仓库库存编号：IRF9Z14SPBF-ND
  别名：*IRF9Z14SPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 6.7A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPF50PBF
  仓库库存编号：IRFPF50PBF-ND
  别名：*IRFPF50PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z10PBF
  仓库库存编号：IRF9Z10PBF-ND
  别名：*IRF9Z10PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM210N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM210N02CX RFGTR-ND
  别名：TSM210N02CX RFGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM210N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM210N02CX RFGCT-ND
  别名：TSM210N02CX RFGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM210N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM210N02CX RFGDKR-ND
  别名：TSM210N02CX RFGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9Z14LPBF
  仓库库存编号：IRF9Z14LPBF-ND
  别名：*IRF9Z14LPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9Z14STRLPBF-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z10
  仓库库存编号：IRF9Z10-ND
  别名：*IRF9Z10
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.7A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPF50
  仓库库存编号：IRFPF50-ND
  别名：*IRFPF50
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL65R650C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL65R650C6SATMA1-ND
  别名：SP001163082
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 850V 6.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF8NK85Z
  仓库库存编号：STF8NK85Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 850V 6.7A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP8NK85Z
  仓库库存编号：497-5205-5-ND
  别名：497-5205-5
  STP8NK85Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z14
  仓库库存编号：IRF9Z14-ND
  别名：*IRF9Z14
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14S
  仓库库存编号：IRF9Z14S-ND
  别名：*IRF9Z14S
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9Z14L
  仓库库存编号：IRF9Z14L-ND
  别名：*IRF9Z14L
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14STRL
  仓库库存编号：IRF9Z14STRL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14STRR
  仓库库存编号：IRF9Z14STRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.7A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB8N50K
  仓库库存编号：IRFIB8N50K-ND
  别名：*IRFIB8N50K
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.7A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB8N50KPBF
  仓库库存编号：IRFIB8N50KPBF-ND
  别名：*IRFIB8N50KPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 6.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 6.7A（Tc） 45W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N25
  仓库库存编号：FQPF9N25-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.7A（Tc） 113W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF10N80
  仓库库存编号：FQAF10N80-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.7A（Tc）,
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