产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. (1)
Infineon Technologies (3)
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Fairchild/ON Semiconductor (1)
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Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Vishay Siliconix (4)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3400A
仓库库存编号:
785-1000-1-ND
别名:785-1000-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4431BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4431BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4431BDY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 510mW(Ta), 6.94W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV20XNER
仓库库存编号:
1727-2302-1-ND
别名:1727-2302-1
568-12588-1
568-12588-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA420NZ
仓库库存编号:
FDMA420NZCT-ND
别名:FDMA420NZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
PMN40ENE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 530mW(Ta), 4.46W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN40ENEX
仓库库存编号:
1727-2734-1-ND
别名:1727-2734-1
568-13298-1
568-13298-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7601TRPBF
仓库库存编号:
IRF7601TRPBFCT-ND
别名:IRF7601TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 3.2W(Ta),40W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS5116PLTAG
仓库库存编号:
NTTFS5116PLTAGOSCT-ND
别名:NTTFS5116PLTAGOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 1.6W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3481CX6 RFG
仓库库存编号:
TSM3481CX6 RFGTR-ND
别名:TSM3481CX6 RFGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 1.6W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3481CX6 RFG
仓库库存编号:
TSM3481CX6 RFGCT-ND
别名:TSM3481CX6 RFGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 1.6W(Ta) SOT-26
型号:
TSM3481CX6 RFG
仓库库存编号:
TSM3481CX6 RFGDKR-ND
别名:TSM3481CX6 RFGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 540mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN27UP,115
仓库库存编号:
1727-1355-1-ND
别名:1727-1355-1
568-10797-1
568-10797-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述:P 沟道 5.7A(Ta) 540mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN27UPH
仓库库存编号:
PMN27UPH-ND
别名:934064768125
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4431BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4431BDY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SC-74
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.7A(Ta) 545mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN22XN,115
仓库库存编号:
568-10796-1-ND
别名:568-10796-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.7A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7601TR
仓库库存编号:
IRF7601CT-ND
别名:*IRF7601TR
IRF7601
IRF7601CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.7A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO300N03S
仓库库存编号:
BSO300N03SINCT-ND
别名:BSO300N03SINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A(Ta),
无铅
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