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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 108A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR170P10P
  仓库库存编号：IXTR170P10P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 108A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 108A（Tc） 890W（Tc） SOT-227
  
  型号：IXFN120N65X2
  仓库库存编号：IXFN120N65X2-ND
  别名：632519
  IXFN120N65X2X
  IXFN120N65X2X-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 108A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 108A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 108A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL210N30P3
  仓库库存编号：IXFL210N30P3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 108A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM045NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM045NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM045NA03CR RLGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 108A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM045NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM045NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM045NA03CR RLGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 108A（Tc）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM045NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM045NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM045NA03CR RLGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 108A（Tc）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 100V 108A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 108A（Tc） 2.4W（Ta）, 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMTH10H010LCT
  仓库库存编号：DMTH10H010LCTDI-5-ND
  别名：DMTH10H010LCTDI-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 108A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 108A（Tc） 2.4W（Ta）, 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMTH10H010LCTB-13
  仓库库存编号：DMTH10H010LCTB-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 108A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 108A（Tc） 24-SMPD
  
  型号：MMIX1F210N30P3
  仓库库存编号：MMIX1F210N30P3-ND
  别名：Q7717170
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 108A（Tc）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 200V 108A
  详细描述：N 沟道 200V 108A（Tc） 405W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FC80NA20
  仓库库存编号：VS-FC80NA20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 108A（Tc）,
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