产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRLTS6342TRPBF
仓库库存编号:
IRLTS6342TRPBFCT-ND
别名:IRLTS6342TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTRPBF
仓库库存编号:
IRF7807VPBFCT-ND
别名:*IRF7807VTRPBF
IRF7807VPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 8.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMT10H015LSS-13
仓库库存编号:
DMT10H015LSS-13DICT-ND
别名:DMT10H015LSS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807PBFCT-ND
别名:*IRF7807TRPBF
IRF7807PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7853TRPBF
仓库库存编号:
IRF7853TRPBFCT-ND
别名:IRF7853TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMN2A02N8TA
仓库库存编号:
ZXMN2A02N8CT-ND
别名:ZXMN2A02N8CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8004(TE85L,F)
仓库库存编号:
TPCP8004(TE85LF)CT-ND
别名:TPCP8004(TE85LF)CT
TPCP8004TE85LF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 8.3A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7425DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7425DN-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 8.3A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7425DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7425DN-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807
仓库库存编号:
IRF7807-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7807D1
仓库库存编号:
IRF7807D1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D2
仓库库存编号:
IRF7807D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807TR
仓库库存编号:
IRF7807TR-ND
别名:SP001556108
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D1TR
仓库库存编号:
IRF7807D1TR-ND
别名:SP001577472
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7807D2TR
仓库库存编号:
IRF7807D2TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807A
仓库库存编号:
IRF7807A-ND
别名:*IRF7807A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2
仓库库存编号:
IRF7807VD2-ND
别名:*IRF7807VD2
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ATR
仓库库存编号:
IRF7807ATR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1
仓库库存编号:
IRF7807VD1-ND
别名:*IRF7807VD1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1TR
仓库库存编号:
IRF7807VD1TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2TR
仓库库存编号:
IRF7807VD2TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTR
仓库库存编号:
IRF7807VTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807VD1PBFCT-ND
别名:*IRF7807VD1TRPBF
IRF7807VD1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807VD2PBFCT-ND
别名:*IRF7807VD2TRPBF
IRF7807VD2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
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详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
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IRF7807D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7807D2PBFCT-ND
别名:*IRF7807D2TRPBF
IRF7807D2PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.3A(Ta),
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