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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.6A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4487DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4487DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4487DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 11.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11.6A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF16N15
  仓库库存编号：FQPF16N15-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB12N50C3
  仓库库存编号：SPB12N50C3INCT-ND
  别名：SPB12N50C3INCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA12N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA12N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000216322
  SPA12N50C3
  SPA12N50C3IN
  SPA12N50C3IN-ND
  SPA12N50C3X
  SPA12N50C3XK
  SPA12N50C3XTIN
  SPA12N50C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI12N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI12N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000680996
  SPI12N50C3
  SPI12N50C3-ND
  SPI12N50C3IN
  SPI12N50C3IN-ND
  SPI12N50C3X
  SPI12N50C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW12N50C3FKSA1
  仓库库存编号：SPW12N50C3FKSA1-ND
  别名：SP000014469
  SPW12N50C3
  SPW12N50C3IN
  SPW12N50C3IN-ND
  SPW12N50C3X
  SPW12N50C3XK
  SPW12N50C3XTIN
  SPW12N50C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP12N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP12N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014459
  SPP12N50C3
  SPP12N50C3IN
  SPP12N50C3IN-ND
  SPP12N50C3X
  SPP12N50C3XK
  SPP12N50C3XTIN
  SPP12N50C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.6A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11.6A（Tc） 8.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK12NQ10T,518
  仓库库存编号：PHK12NQ10T,518-ND
  别名：934057347518
  PHK12NQ10T /T3
  PHK12NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI12N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI12N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014467
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.6A（Tc）,
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