产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB07N60C3
仓库库存编号:
SPB07N60C3INCT-ND
别名:SPB07N60C3INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA07N60C3
仓库库存编号:
SPA07N60C3IN-ND
别名:SP000216303
SPA07N60C3IN
SPA07N60C3XK
SPA07N60C3XKSA1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R600C6
仓库库存编号:
IPB60R600C6CT-ND
别名:IPB60R600C6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600C6
仓库库存编号:
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600C6
仓库库存编号:
IPP60R600C6-ND
别名:IPP60R600C6XKSA1
SP000645074
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU07N60C3
仓库库存编号:
SPU07N60C3IN-ND
别名:SP000101635
SPU07N60C3-ND
SPU07N60C3BKMA1
SPU07N60C3IN
SPU07N60C3X
SPU07N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V TSOT26
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.3A(Tc) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMP6110SVT-7
仓库库存编号:
DMP6110SVT-7DICT-ND
别名:DMP6110SVT-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V TSOT26
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.3A(Tc) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMP6110SVT-13
仓库库存编号:
DMP6110SVT-13DICT-ND
别名:DMP6110SVT-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.3A(Tc) 3.13W(Ta),90W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7P20TM
仓库库存编号:
FQB7P20TMCT-ND
别名:FQB7P20TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 89W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FCD620N60ZF
仓库库存编号:
FCD620N60ZFCT-ND
别名:FCD620N60ZFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600E6
仓库库存编号:
IPD60R600E6CT-ND
别名:IPD60R600E6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TRPBF
仓库库存编号:
IRF7201PBFCT-ND
别名:*IRF7201TRPBF
IRF7201PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA65R600E6
仓库库存编号:
IPA65R600E6-ND
别名:IPA65R600E6XKSA1
SP000799140
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.3A(Tc) 3.13W(Ta),90W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7P20TM_F085
仓库库存编号:
FQB7P20TM_F085CT-ND
别名:FQB7P20TM_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6BKMA1-ND
别名:SP000931534
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600C6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R600C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R600C6AKMA1-ND
别名:SP001292878
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) TO-252
型号:
IPD60R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117094
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117096
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R600E6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R600E6AKMA1-ND
别名:SP001273092
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB60R600P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R600P6ATMA1-ND
别名:SP001313874
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R600C6CT
IPB65R600C6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600P6XKSA1-ND
别名:IPP60R600P6
IPP60R600P6-ND
SP001017054
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
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