产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
6-VDFN 裸露焊盘(2)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(13)
TO-261-4，TO-261AA(7)
SC-70，SOT-323(1)
6-TSSOP，SC-88，SOT-363(3)
SOT-23-6(2)
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6(1)
6-UDFN 裸露焊盘(1)
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Diodes Incorporated(9)
Fairchild/ON Semiconductor(2)
Micro Commercial Co(1)
On Semiconductor(4)
Nexperia USA Inc.(6)
Vishay Siliconix(2)
Infineon Technologies(6)
重新选择
表面贴装(30)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(29)
-65°C ~ 150°C（TJ）(1)
重新选择
-(18)
汽车级，AEC-Q101(2)
TrenchFET?(2)
OptiMOS??(1)
HEXFET?(5)
FETKY??(2)
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剪切带（CT） (17)
带卷（TR） (11)
管件 (2)
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在售(19)
已不再提供(1)
过期(10)
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SOT-223(5)
SOT-23-3（TO-236）(2)
SOT-23(6)
TO-236AB（SOT23）(3)
SOT-323(1)
SOT-363(1)
SOT-26(2)
SuperSOT?-6(1)
SC-70-6（SOT-363）(2)
SOT-223-4(1)
6-DFN（3x3）(2)
PG-SOT223-4(1)
TO-236AB(2)
6-DFN2020MD（2x2）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(30)
重新选择
±20V(13)
±8V(7)
±12V(10)
重新选择
10nC @ 10V(1)
10nC @ 4.5V(2)
5.4nC @ 4.5V(1)
7nC @ 4.5V(1)
6nC @ 4.5V(1)
8.5nC @ 4.5V(1)
6nC @ 10V(1)
7.7nC @ 4.5V(1)
5nC @ 4.5V(1)
7nC @ 10V(1)
3nC @ 4.5V(2)
9nC @ 4.5V(2)
2.8nC @ 10V(2)
3.5nC @ 4V(2)
6.7nC @ 10V(2)
5.8nC @ 10V(2)
18.3nC @ 10V(5)
14.5nC @ 4.5V(1)
14.9nC @ 10V(1)
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90 毫欧 @ 3.6A，4.5V(2)
74 毫欧 @ 2.8A，4.5V(1)
56 毫欧 @ 2A，4.5V(1)
85 毫欧 @ 3.6A，4.5V(2)
130 毫欧 @ 2.8A，4.5V(1)
78 毫欧 @ 2.8A，4.5V(2)
75 毫欧 @ 3.6A，10V(2)
160 毫欧 @ 3.4A，10V(1)
80 毫欧 @ 4.8A，10V(2)
75 毫欧 @ 2.8A，10V(5)
73 毫欧 @ 2.8A, 4.5V(2)
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V(3)
48 毫欧 @ 3A，4.5V(1)
105 毫欧 @ 2.8A，10V(1)
80 毫欧 @ 2.5A，10V(1)
90 毫欧 @ 3.4A，4.5V(2)
90 毫欧 @ 1.4A，10V(1)
重新选择
10V(5)
4.5V，10V(8)
1.8V，4.5V(3)
1.5V，4.5V(2)
2.5V，4.5V(12)
重新选择
N 沟道(22)
P 沟道(8)
重新选择
2.8A（Ta）(30)
重新选择
-(2)
330pF @ 25V(1)
594.3pF @ 10V(1)
400pF @ 10V(1)
744pF @ 20V(1)
400pF @ 25V(5)
130pF @ 10V(2)
370pF @ 15V(1)
618pF @ 10V(2)
150pF @ 5V(2)
459pF @ 40V(2)
390pF @ 10V(1)
291pF @ 10V(2)
285pF @ 15V(2)
880pF @ 6V(1)
214pF @ 30V(1)
504pF @ 40V(1)
275pF @ 10V(2)
重新选择
-(30)
重新选择
4V @ 250μA(5)
2V @ 250μA(2)
2.5V @ 250μA(2)
1V @ 250μA(12)
900mV @ 250μA(1)
1.4V @ 250μA(2)
3V @ 250μA(1)
1.25V @ 250μA(2)
450mV @ 250μA（最小）(1)
2.7V @ 250μA(1)
2V @ 12μA(1)
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500mW（Ta）(1)
1.4W（Ta）(2)
430mW（Ta）(1)
1W（Ta）(7)
490mW（Ta）(1)
1.6W（Ta）(1)
480mW（Ta）(1)
1.1W（Ta）(2)
3W（Ta）(1)
1.14W（Ta）(2)
1.8W（Ta）(1)
660mW（Ta）(2)
480mW（Ta）, 6.25W（Tc）(2)
1.25W（Ta）(3)
950mW（Ta）(1)
940mW（Ta）(1)
1.6W（Ta），15.6W（Tc）(1)
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20V(15)
80V(1)
30V(5)
60V(3)
55V(6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 480mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV65XP,215
仓库库存编号：
1727-3124-1-ND
别名：1727-3124-1
568-2358-1
568-2358-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 660mW（Ta） SOT-23
型号：
DMG2302UK-7
仓库库存编号：
DMG2302UK-7DICT-ND
别名：DMG2302UK-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 430mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN2065UW-7
仓库库存编号：
DMN2065UW-7DICT-ND
别名：DMN2065UW-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 480mW（Ta）, 6.25W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV65XPEAR
仓库库存编号：
1727-2310-1-ND
别名：1727-2310-1
568-12596-1
568-12596-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
MGSF2N02ELT1G
仓库库存编号：
MGSF2N02ELT1GOSCT-ND
别名：MGSF2N02ELT1GOS
MGSF2N02ELT1GOS-ND
MGSF2N02ELT1GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL024NTRPBF
仓库库存编号：
IRFL024NTRPBFCT-ND
别名：IRFL024NTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.8A（Ta） 490mW（Ta） TO-236AB
型号：
PMV65UNER
仓库库存编号：
1727-2707-1-ND
别名：1727-2707-1
568-13226-1
568-13226-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Ta） 480mW（Ta）, 6.25W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV65XPER
仓库库存编号：
1727-2311-1-ND
别名：1727-2311-1
568-12597-1
568-12597-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
型号：
DMP3120L-7
仓库库存编号：
1034-DMP3120L-7DI-ND
别名：1034-DMP3120L-7DI
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 500mW（Ta） SOT-363
型号：
DMN2075UDW-7
仓库库存编号：
DMN2075UDW-7DICT-ND
别名：DMN2075UDW-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
SI2301-TP
仓库库存编号：
SI2301-TPMSCT-ND
别名：SI2301-TPMSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
型号：
NDT014L
仓库库存编号：
NDT014LCT-ND
别名：NDT014LCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
型号：
ZXMN6A08E6TA
仓库库存编号：
ZXMN6A08E6CT-ND
别名：ZXMN6A08E6CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.6W（Ta），15.6W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
型号：
PMPB95ENEAX
仓库库存编号：
1727-2705-1-ND
别名：1727-2705-1
568-13224-1
568-13224-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 20V 2.8A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 660mW（Ta） SOT-23
型号：
DMG2302UK-13
仓库库存编号：
DMG2302UK-13-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 940mW（Ta） TO-236AB
型号：
PMV65UNEAR
仓库库存编号：
PMV65UNEAR-ND
别名：934070691215
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 950mW（Ta） SOT-23
型号：
ZXMP3F30FHTA
仓库库存编号：
ZXMP3F30FHTADITR-ND
别名：ZXMP3F30FHTADI
ZXMP3F30FHTADI-ND
ZXMP3F30FHTADITR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
MVSF2N02ELT1G
仓库库存编号：
MVSF2N02ELT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
型号：
ZXMN6A08E6QTA
仓库库存编号：
ZXMN6A08E6QTADICT-ND
别名：ZXMN6A08E6QTADICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.14W（Ta） 6-DFN（3x3）
型号：
NTLGF3501NT2G
仓库库存编号：
NTLGF3501NT2G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRFL024NTR
仓库库存编号：
AUIRFL024NTR-ND
别名：SP001519268
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.8A（Ta） 1.14W（Ta） 6-DFN（3x3）
型号：
NTLGF3501NT1G
仓库库存编号：
NTLGF3501NT1G-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1426DH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1426DH-T1-E3CT-ND
别名：SI1426DH-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.8A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC636P
仓库库存编号：
FDC636PCT-ND
别名：FDC636PCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1426DH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1426DH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1426DH-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.8A（Ta）,
无铅
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