产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
FCD4N60TM
仓库库存编号：
FCD4N60TMCT-ND
别名：FCD4N60TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP4N80
仓库库存编号：
FQP4N80FS-ND
别名：FQP4N80-ND
FQP4N80FS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.9A（Tc） 1.5W（Tc） SOT-23
型号：
TSM2302CX RFG
仓库库存编号：
TSM2302CX RFGTR-ND
别名：TSM2302CX RFGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.9A（Tc） 1.5W（Tc） SOT-23
型号：
TSM2302CX RFG
仓库库存编号：
TSM2302CX RFGCT-ND
别名：TSM2302CX RFGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.9A（Tc） 1.5W（Tc） SOT-23
型号：
TSM2302CX RFG
仓库库存编号：
TSM2302CX RFGDKR-ND
别名：TSM2302CX RFGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.9A（Tc） 3W（Tc） TO-236（SOT-23）
型号：
SQ2301ES-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ2301ES-T1_GE3CT-ND
别名：SQ2301ES-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
型号：
SI1416EDH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1416EDH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1416EDH-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB4N80TM
仓库库存编号：
FQB4N80TMCT-ND
别名：FQB4N80TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP4N60
仓库库存编号：
FCP4N60-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD5T40P
仓库库存编号：
785-1695-1-ND
别名：785-1695-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA80R1K4CEXKSA2
仓库库存编号：
IPA80R1K4CEXKSA2-ND
别名：SP001313390
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF5N50NZU
仓库库存编号：
FDPF5N50NZU-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） I2PAK
型号：
FQI4N80TU
仓库库存编号：
FQI4N80TU-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 2 个 P 沟道 3.9A（Tc） 3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SQ3985EV-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ3985EV-T1_GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R950CFDBTMA1
仓库库存编号：
IPD65R950CFDBTMA1CT-ND
别名：IPD65R950CFDBTMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R1K4CEATMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
别名：IPD80R1K4CEATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 700V 3.9A
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 3.9A（Tc） 28W（Tc） TO-252
型号：
DMJ7N70SK3-13
仓库库存编号：
DMJ7N70SK3-13-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） TO-251-3
型号：
IPU80R1K4CEAKMA1
仓库库存编号：
IPU80R1K4CEAKMA1-ND
别名：SP001593930
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 3.9A（Tc） 36.7W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R950CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R950CFDATMA1-ND
别名：SP001117750
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 3.9A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 300V 3.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF5N30
仓库库存编号：
FQPF5N30-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.9A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
FCD4N60TF
仓库库存编号：
FCD4N60TFCT-ND
别名：FCD4N60TFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.9A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
FCD4N60TM_WS
仓库库存编号：
FCD4N60TM_WSCT-ND
别名：FCD4N60TM_WSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R1K4CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU80R1K4CEBKMA1-ND
别名：SP001100620
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD80R1K4CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
别名：IPD80R1K4CEBTMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Tc）,
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