产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FCD4N60TM
仓库库存编号:
FCD4N60TMCT-ND
别名:FCD4N60TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP4N80
仓库库存编号:
FQP4N80FS-ND
别名:FQP4N80-ND
FQP4N80FS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.9A(Tc) 1.5W(Tc) SOT-23
型号:
TSM2302CX RFG
仓库库存编号:
TSM2302CX RFGTR-ND
别名:TSM2302CX RFGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.9A(Tc) 1.5W(Tc) SOT-23
型号:
TSM2302CX RFG
仓库库存编号:
TSM2302CX RFGCT-ND
别名:TSM2302CX RFGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.9A(Tc) 1.5W(Tc) SOT-23
型号:
TSM2302CX RFG
仓库库存编号:
TSM2302CX RFGDKR-ND
别名:TSM2302CX RFGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.9A(Tc) 3W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2301ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2301ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2301ES-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1416EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1416EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1416EDH-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4N80TM
仓库库存编号:
FQB4N80TMCT-ND
别名:FQB4N80TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP4N60
仓库库存编号:
FCP4N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 52W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD5T40P
仓库库存编号:
785-1695-1-ND
别名:785-1695-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K4CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA80R1K4CEXKSA2-ND
别名:SP001313390
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N50NZU
仓库库存编号:
FDPF5N50NZU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
FQI4N80TU
仓库库存编号:
FQI4N80TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 2 个 P 沟道 3.9A(Tc) 3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3985EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3985EV-T1_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 36.7W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R950CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R950CFDBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K4CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 700V 3.9A
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 3.9A(Tc) 28W(Tc) TO-252
型号:
DMJ7N70SK3-13
仓库库存编号:
DMJ7N70SK3-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) TO-251-3
型号:
IPU80R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001593930
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.9A(Tc) 36.7W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950CFDATMA1-ND
别名:SP001117750
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 3.9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 300V 3.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N30
仓库库存编号:
FQPF5N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.9A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FCD4N60TF
仓库库存编号:
FCD4N60TFCT-ND
别名:FCD4N60TFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.9A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FCD4N60TM_WS
仓库库存编号:
FCD4N60TM_WSCT-ND
别名:FCD4N60TM_WSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K4CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K4CEBKMA1-ND
别名:SP001100620
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3.9A(Tc) 63W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K4CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4CEBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.9A(Tc),
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